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基于Geant 4的介质深层充电电场计算

贺德衍 秦晓刚 王骥

基于Geant 4的介质深层充电电场计算

贺德衍, 秦晓刚, 王骥
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出版历程
  • 收稿日期:  2008-05-18
  • 修回日期:  2008-06-23
  • 刊出日期:  2009-01-20

基于Geant 4的介质深层充电电场计算

  • 1. (1)兰州大学物理科学与技术学院,兰州 730000; (2)兰州大学物理科学与技术学院,兰州 730000;真空低温技术与物理国家重点实验室,兰州 730000; (3)真空低温技术与物理国家重点实验室,兰州 730000
    基金项目: 

    真空低温技术与物理国家重点实验室基金(批准号:9140C550304080C5501)资助的课题.

摘要: 基于Geant4模拟了电子在Teflon介质中的电荷输运过程,获得了其内部的电流密度、剂量率和电荷沉积量沿深度的分布曲线,进而利用电荷连续性方程、泊松方程和深层俘获方程求解出Teflon中高能量、小束流电子辐照下的电场分布. 将介质平板充电过程简化为屏蔽铝板与分层介质组成的Geant4模型,电子源为1.0MeV,0.1pA/cm2的平面源. 通过记录经过各层介质的电子电量和各层介质内沉积能量和电子数目,用统计平均的方法获得了介质内电流密度、剂量率和电荷沉积量沿深度的分布规律. 介质内

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