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金属有机物化学气相沉积法生长Ga2(1-x)In2xO3薄膜的结构及光电性能研究

杨帆 马瑾 孔令沂 栾彩娜 朱振

金属有机物化学气相沉积法生长Ga2(1-x)In2xO3薄膜的结构及光电性能研究

杨帆, 马瑾, 孔令沂, 栾彩娜, 朱振
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出版历程
  • 收稿日期:  2008-10-22
  • 修回日期:  2009-02-16
  • 刊出日期:  2009-10-20

金属有机物化学气相沉积法生长Ga2(1-x)In2xO3薄膜的结构及光电性能研究

  • 1. 山东大学物理学院,济南 250100
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号: 50672054)资助的课题.

摘要: 采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)法在蓝宝石(0001)衬底上制备出了Ga2(1-x)In2xO3(x=01—09)薄膜,研究了薄膜的结构、电学和光学特性以及退火处理对薄膜性质的影响.测量结果表明:当In组分x=02时,样品为单斜β-Ga2O3结构;x=05的样品,薄膜呈现非晶结构,退火处理后薄膜结构得到明显的改善

English Abstract

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