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太赫兹量子级联激光器材料生长及表征

常俊 黎华 韩英军 谭智勇 曹俊诚

太赫兹量子级联激光器材料生长及表征

常俊, 黎华, 韩英军, 谭智勇, 曹俊诚
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出版历程
  • 收稿日期:  2008-10-28
  • 修回日期:  2008-11-28
  • 刊出日期:  2009-05-05

太赫兹量子级联激光器材料生长及表征

  • 1. 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室,上海 200050
    基金项目: 

    国家重点基础研究发展计划(批准号: 2007CB310402)、国家自然科学基金(批准号: 60721004, 60606027)和上海市基础研究重大项目(批准号: 06dj14008)资助的课题.

摘要: 采用气态源分子束外延方法生长了束缚态到连续态跃迁太赫兹量子级联激光器(terahertz quantum-cascade laser,简称THz QCL)有源区结构,并且采用电化学CV仪、霍尔测试仪以及高分辨X射线衍射对材料的质量进行表征,得出THz QCL有源区具有很高的晶体质量.另外,采用蒙特卡罗方法模拟了共振声子THz QCL器件的I-V曲线,分析了在不同偏压下子能级的对齐状况和电子的输运特征.

English Abstract

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