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Ti离子注入和退火对ZnS薄膜结构和光学性质的影响

苏海桥 陈猛 李志杰 袁兆林 祖小涛 付玉军 薛书文

Ti离子注入和退火对ZnS薄膜结构和光学性质的影响

苏海桥, 陈猛, 李志杰, 袁兆林, 祖小涛, 付玉军, 薛书文
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出版历程
  • 收稿日期:  2008-06-23
  • 修回日期:  2009-02-11
  • 刊出日期:  2009-10-20

Ti离子注入和退火对ZnS薄膜结构和光学性质的影响

  • 1. (1)电子科技大学应用物理系,成都 610054; (2)兰州大学物理科学与技术学院,兰州 730000; (3)湛江师范学院物理系,湛江 524048
    基金项目: 

    教育部新世纪优秀人才支持计划 (批准号: NCET-04-0899)资助的课题.

摘要: 利用真空蒸发法在石英玻璃衬底上制备了ZnS薄膜,将能量80 keV,剂量1×1017 cm-2的Ti离子注入到薄膜中,并将注入后的ZnS薄膜进行退火处理,退火温度500—700 ℃.利用X射线衍射(XRD)研究了薄膜结构的变化,利用光致发光(PL)和光吸收研究了薄膜光学性质的变化.XRD结果显示,衍射峰在500 ℃退火1 h后有一定程度的恢复;光吸收结果显示,离子注入后光吸收增强,随着退火温度的上升,光吸收逐渐降低,吸收边随着退火温度的提高发生蓝移;PL显示,薄

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