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一种考虑温度的分布式互连线功耗模型

朱樟明 钟波 郝报田 杨银堂

一种考虑温度的分布式互连线功耗模型

朱樟明, 钟波, 郝报田, 杨银堂
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出版历程
  • 收稿日期:  2009-04-02
  • 修回日期:  2009-05-06
  • 刊出日期:  2009-10-20

一种考虑温度的分布式互连线功耗模型

  • 1. 西安电子科技大学微电子研究所,西安 710071
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:60725415,60676009,60776034)、国家高技术研究发展计划(批准号:2009AA01Z258,2009AA01Z260)和西安AM创新基金(批准号:XA-AM-200814)资助的课题.

摘要: 基于集总式电阻-电容树形功耗模型,考虑了非均匀温度分布对互连线电阻的影响,提出了一种新的分布式互连线动态功耗解析模型,解决了集总式模型不能表征非均匀温度变化带来的电阻变化的问题,并计算了一次非理想的激励冲激下整个互连模型消耗的总能量.基于所提出的分布式互连线功耗模型,计算了纳米级互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺典型长度互连线的Elmore延时和功耗,发现非均匀温度分布对互连功耗的影响随着互连线长度的增加而增加,单位长度功耗随着CMOS工艺特征尺寸的变化而基本不变.文中所提出的功耗模型可以用来精确估算互

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