搜索

文章查询

x

留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

n型金属氧化物半导体场效应晶体管噪声非高斯性研究

杜磊 李伟华 庄奕琪 包军林

n型金属氧化物半导体场效应晶体管噪声非高斯性研究

杜磊, 李伟华, 庄奕琪, 包军林
PDF
导出引用
导出核心图
计量
  • 文章访问数:  3235
  • PDF下载量:  828
  • 被引次数: 0
出版历程
  • 收稿日期:  2009-05-01
  • 修回日期:  2009-07-01
  • 刊出日期:  2009-10-20

n型金属氧化物半导体场效应晶体管噪声非高斯性研究

  • 1. (1)西安电子科技大学技术物理学院,西安 710071; (2)西安电子科技大学微电子学院,宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安 710071
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:60676053)资助的课题.

摘要: 基于n型金属氧化物半导体场效应晶体管(nMOSFET)噪声的数涨落模型,采用高阶统计量双相干系数平方和研究了nMOSFET噪声的非高斯性.通过对nMOSFET实际测试噪声的分析,发现nMOSFET器件噪声存在非高斯性;小尺寸器件噪声的非高斯性强于大尺寸器件;在器件的强反型线性区,其非高斯性随着漏压的增加而增加.文中还通过蒙特卡罗模拟和中心极限定理理论对nMOSFET噪声的非高斯性作了深入的探讨.

English Abstract

目录

    /

    返回文章
    返回