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带隙可调的Al,Mg掺杂ZnO薄膜的制备

高立 张建民

带隙可调的Al,Mg掺杂ZnO薄膜的制备

高立, 张建民
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出版历程
  • 收稿日期:  2008-11-20
  • 修回日期:  2009-01-18
  • 刊出日期:  2009-05-05

带隙可调的Al,Mg掺杂ZnO薄膜的制备

  • 1. 陕西师范大学物理学与信息技术学院,西安 710062
    基金项目: 

    国家重点基础研究发展计划(批准号:2004CB619302)资助的课题.

摘要: 利用射频磁控溅射(RF-MS)方法,固定Al2O3掺杂量2 wt%,Mg掺杂量分别为1 wt%,3 wt%和5 wt%,在玻璃基底上制备了Al掺杂和Al,Mg共掺杂的ZnO薄膜,在500 ℃空气中退火2 h后,测量并比较了它们的光学和电学性质.结果表明,Al,Mg共掺杂的ZnO薄膜结晶质量良好,具有ZnO纤锌矿结构,具有较强的(002)面衍射峰,表明薄膜晶体沿c轴优先生长;与Al掺杂ZnO薄膜相比蓝端光透射率增加,1 wt%和3 wt% Mg掺杂薄

English Abstract

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