搜索

文章查询

x

留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

不同退火温度下晶化硅薄膜的电学输运性质

宋超 陈谷然 徐骏 王涛 孙红程 刘宇 李伟 陈坤基

不同退火温度下晶化硅薄膜的电学输运性质

宋超, 陈谷然, 徐骏, 王涛, 孙红程, 刘宇, 李伟, 陈坤基
PDF
导出引用
导出核心图
计量
  • 文章访问数:  3931
  • PDF下载量:  1324
  • 被引次数: 0
出版历程
  • 收稿日期:  2009-02-27
  • 修回日期:  2009-03-13
  • 刊出日期:  2009-11-20

不同退火温度下晶化硅薄膜的电学输运性质

  • 1. 南京大学物理系,固体微结构物理国家重点实验室,南京 210093
    基金项目: 

    国家重点基础研究发展计划(批准号: 2007CB613401),国家自然科学基金(批准号: 10874070)和高等学校博士学科点专项基金(批准号: 20070284020)资助的课题.

摘要: 采用等离子体化学气相沉积技术制备氢化非晶硅薄膜,经过不同温度下的热退火处理,使薄膜由非晶结构向晶化结构转变,得到含有纳米晶粒的晶化硅薄膜.在晶化过程中,采用Raman技术对样品的结构进行表征.通过变温电导率的测试,对薄膜的电学输运性质进行了分析.研究结果表明:退火温度为700 ℃时,样品中开始有纳米晶形成,随着退火温度的增加,样品的晶化比增大,在1000 ℃时,薄膜的晶化比达到90%以上.在700 ℃退火时,薄膜中晶化成分较低,载流子的传输特性主要受到与硅悬挂键有关的缺陷态影响,表现为带尾定域态的跳跃电导

English Abstract

目录

    /

    返回文章
    返回