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有机半导体的物理掺杂理论

孟卫民 汪润生 马朝柱 李荣华 谢宏伟 王颖 赵明 袁建挺 彭应全

有机半导体的物理掺杂理论

孟卫民, 汪润生, 马朝柱, 李荣华, 谢宏伟, 王颖, 赵明, 袁建挺, 彭应全
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出版历程
  • 收稿日期:  2009-01-13
  • 修回日期:  2009-03-11
  • 刊出日期:  2009-11-20

有机半导体的物理掺杂理论

  • 1. (1)兰州大学磁学与磁性材料教育部重点实验室,兰州 730000; (2)兰州大学物理科学与技术学院微电子研究所,兰州 730000; (3)兰州大学物理科学与技术学院微电子研究所,兰州 730000;兰州大学磁学与磁性材料教育部重点实验室,兰州 730000

摘要: 基于最低未被占据分子轨道(LUMO)和最高被占据分子轨道(HOMO)的高斯态密度分布与载流子在允许量子态中的费米-狄拉克(Fermi-Dirac)分布,提出有机半导体中物理掺杂的理论模型;研究了掺杂浓度、温度和禁带宽度对载流子浓度的影响,并与一些报道的实验结果做了比较.研究发现无论是否掺杂,温度升高时,有机半导体中的载流子浓度都会增大,并且随温度倒数的线性减小而指数增大;对于本征有机半导体,载流子浓度随禁带宽度的增大而指数下降,随高斯分布宽度的平方指数增加;对杂质和主体不同能级关系的掺杂情形下掺杂浓度对载

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