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Pt插层对Co/FeMn界面的影响

付艳强 刘洋 金川 于广华

Pt插层对Co/FeMn界面的影响

付艳强, 刘洋, 金川, 于广华
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出版历程
  • 收稿日期:  2009-02-22
  • 修回日期:  2009-03-25
  • 刊出日期:  2009-11-20

Pt插层对Co/FeMn界面的影响

  • 1. 北京科技大学材料物理与化学系,北京 100083
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:50831002,50871014,50671008)资助的课题.

摘要: 采用磁控溅射的方法制备了Co/FeMn/Co多层膜,研究了Co(底部)/FeMn和FeMn/Co(顶部)界面插入Pt层后磁矩的变化情况.通过测量磁滞回线可知,Co(底部)/FeMn界面的Pt插层改变了体系的饱和磁化强度Ms,随着Co层厚度(tCo)的增加Ms不断趋近于Co块体结构理论值1440 kA/m.这是因为Co(底部)/FeMn界面产生了净磁矩,而界面处的Pt插层可以减少这种净磁矩的产生.但是

English Abstract

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