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增益饱和对光学差频产生太赫兹辐射的功率和稳定性的影响

李雪峰 刘红军 黄楠 夏彩鹏

增益饱和对光学差频产生太赫兹辐射的功率和稳定性的影响

李雪峰, 刘红军, 黄楠, 夏彩鹏
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出版历程
  • 收稿日期:  2009-01-16
  • 修回日期:  2009-04-09
  • 刊出日期:  2009-12-20

增益饱和对光学差频产生太赫兹辐射的功率和稳定性的影响

  • 1. (1)西安邮电学院应用数理系,西安 710121; (2)中国科学院西安光学精密机械研究所瞬态光学与光子技术国家重点实验室,西安 710119; (3)中国科学院西安光学精密机械研究所瞬态光学与光子技术国家重点实验室,西安 710119;西安邮电学院应用数理系,西安 710121
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:60678013)资助的课题.

摘要: 数值模拟并分析了以GaSe晶体为例对光学差频产生太赫兹(THz)波的特性.结果表明:当THz波长为227.5 μm,晶体长度为26.3 mm时,产生THz波功率达到增益饱和,在增益饱和点输出最高峰值功率可以达到945 W.由于晶体吸收的影响,THz波的增益饱和区是输出功率的非稳定区,而THz波的输出稳定区位于增益饱和区之后,在稳定区的THz波稳定性取决于抽运光的稳定性.当THz波波长为227.5 μm时,达到稳定区所需晶体长度为37.9 mm,此时THz波输出峰值功率可以达到735 W.

English Abstract

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