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介孔SiO2薄膜孔结构的慢正电子技术表征

王巧占 李玉晓 于润升 秦秀波 王宝义 贾全杰

介孔SiO2薄膜孔结构的慢正电子技术表征

王巧占, 李玉晓, 于润升, 秦秀波, 王宝义, 贾全杰
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出版历程
  • 收稿日期:  2009-02-27
  • 修回日期:  2009-04-22
  • 刊出日期:  2009-06-05

介孔SiO2薄膜孔结构的慢正电子技术表征

  • 1. (1)郑州大学物理工程学院,郑州 450001; (2)中国科学院高能物理研究所核分析技术重点实验室,北京 100049
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:10835006,60606011,10705031)资助的课题.

摘要: 通过蒸发诱导自组装技术制备了具有不同有序结构的介孔SiO2薄膜,并采用同步辐射X射线反射率以及慢正电子束流技术对其进行表征.实验结果表明,随着旋涂速率的增加,介孔结构由三维立方向二维六角结构转变,同时平均孔隙率随转速增加而减小.利用各向同性无机孔收缩模型和Fourier变换红外光谱,探讨了薄膜结构和正电子湮没参数的内在联系.

English Abstract

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