搜索

文章查询

x

留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

Au在Hg1-xCdxTe材料中p型掺杂的第一性原理研究

韩金良 钟建新 孙立忠 陈效双 陆卫

Au在Hg1-xCdxTe材料中p型掺杂的第一性原理研究

韩金良, 钟建新, 孙立忠, 陈效双, 陆卫
PDF
导出引用
导出核心图
计量
  • 文章访问数:  3514
  • PDF下载量:  871
  • 被引次数: 0
出版历程
  • 收稿日期:  2009-03-29
  • 修回日期:  2009-06-05
  • 刊出日期:  2010-02-15

Au在Hg1-xCdxTe材料中p型掺杂的第一性原理研究

  • 1. (1)湘潭大学量子工程与微纳能源研究所,材料与光电物理学院,湘潭 411105; (2)湘潭大学量子工程与微纳能源研究所,材料与光电物理学院,湘潭 411105;中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海 200083; (3)中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海 200083
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:10874143,10725418,10734090)、高等学校博士学科点专项科研基金(批准号:20070530008)和湖南省教育厅优秀青年基金(批准号:06B092)资助的课题.

摘要: 利用基于密度泛函理论的第一性原理方法,研究了Au在Hg1-xCdxTe材料中原位取代Hg的p型掺杂对材料各组分电子结构的影响.通过态密度、形成能和动力学能级的理论分析,系统讨论了分子外延(MBE)和液相外延(LPE)两种生长条件下,Au杂质p型掺杂的稳定性和有效性.结果表明Au原位取代Hg后,Hg1-xCdxTe材料一方面表现出相当好的稳定性,另一方面形成浅杂质能级,是一种有效的p型掺杂剂.讨论了生长气氛对Au在Hg1-xCdxTe(MCT)中p型掺杂效率的影响,发现在MBE生长条件下,富阳离子气氛的所有组分,富Te气氛的0.75x≤1组分以及LPE生长富阳离子条件下的0.75≤x≤1组分的MCT材料中均存在Au杂质的自补偿效应,不适合进行Au的p型掺杂.

English Abstract

目录

    /

    返回文章
    返回