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激光诱导p-GaN掺杂对发光二极管性能改善的分析

薛正群 张保平 陈朝 黄生荣

激光诱导p-GaN掺杂对发光二极管性能改善的分析

薛正群, 张保平, 陈朝, 黄生荣
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出版历程
  • 收稿日期:  2009-06-03
  • 修回日期:  2009-06-12
  • 刊出日期:  2010-01-05

激光诱导p-GaN掺杂对发光二极管性能改善的分析

  • 1. (1)厦门大学物理系,厦门 361005; (2)厦门大学物理系,厦门 361005;福建省半导体照明中心,厦门 361005; (3)厦门三安电子有限公司,厦门 361005
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号: 60476022)和国家高技术研究发展计划(批准号:2004AA311020)资助的课题.

摘要: 采用激光诱导掺锌的方法提高了常规GaN基外延片p-GaN层的空穴浓度,并将它制备成小功率白光发光二极管(LED).对其光电性能做了详细的测量并进行了加速老化实验和分析.结果表明,与常规LED相比,经过激光诱导p-GaN层掺锌LED的光电性能获得了明显改善:正向工作电压VF从3.33 V降到3.13 V,串联电阻从30.27 Ω降到20.27 Ω,室温下衰退系数从1.68×10-4降到1.34×10-4,老化1600 h后的反向漏电流从超过0.2 μA降为不超过0.025 μA,器件的预测寿命延长了41%.器件光电性能改善的主要原因是激光诱导掺锌使LED的p-型欧姆接触改善和热阻降低所致.

English Abstract

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