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电解精炼制备太阳级硅杂质行为研究

贾明 田忠良 赖延清 李劼 伊继光 闫剑锋 刘业翔

电解精炼制备太阳级硅杂质行为研究

贾明, 田忠良, 赖延清, 李劼, 伊继光, 闫剑锋, 刘业翔
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  • 在氟化物电解质体系下,把Cu与冶金级多晶硅熔配成合金作为阳极,利用杂质与硅析出电位的差别,通过控制电解工艺条件和参数,对冶金硅进行了电解精炼提纯研究.结果表明,阳极铜硅合金对硅中的杂质有滞留作用,且在大电流密度下Cu不会随着合金中硅的减少而溶解到电解质中;预电解对电解质净化效果明显,XRF分析表明P含量从10降为1 ppmw;阴极电沉积的硅呈颗粒状,并与电解质混杂,随着电解时间的延长,分散的硅的颗粒聚集成1—2 cm直径的大尺寸硅球.ICP-AES分析表明,最后得到的产物硅与冶金级硅相比,硼含量由127
    • 基金项目: 高等学校博士学科点专项科研基金(批准号:200805331120)资助的课题.
    [1]

    [1]Chandra P K, David B, Joyce F S 2002 Sol. Energy Mater. Sol. Cell.74 77

    [2]

    [2]Richard M S 2006 Prog. Photovolt: Res. Appl. 14 443

    [3]

    [3]Alvin D C 2006 Sol. Energy Mater. Sol. Cell. 90 2170

    [4]

    [4]Zhang X D, Zhao Y, Gao Y T 2005 Acta Phys. Sin.54 4874 (in Chinese)[张晓丹、 赵颖、 高艳涛、 朱峰 2005 物理学报 54 4874]

    [5]

    [5]Sun F H, Zhang X D, Wang G H, Xu S Z, Yue Q, Wei C C, Sun J, Geng X H, Xiong S Z, Zhao Y 2009 Acta Phys. Sin. 58 1293 (in Chinese)[孙福河、 张晓丹、 王光红、 许盛之、 岳强、 魏长春、 孙建、 耿新华、 熊绍珍、 赵颖 2009 物理学报 58 1293]

    [6]

    [6]Ao J P, Yang L, Yan L, Sun G Z 2009 Acta Phys. Sin. 58 1870 (in Chinese)[敖建平、 杨亮、 闫礼、孙国忠 2009 物理学报 58 1870]

    [7]

    [7]Zhang Z X, Wang E K 2000 Electrochemistry Principle and Method (Beijing: Science Press) p55[张祖训、 汪尔康 2000 电化学原理和方法 (北京: 科学出版社) 第55页]

    [8]

    [8]Monnier R, Barakat D U. S. patents 3219561 and 3254010

    [9]

    [9]Elwell D 1988 J. Appl. Electrochem . 8 15

    [10]

    ] Olson J M, Carleton K L 1981 J. Electrochem. Soc. 128 2698

    [11]

    ]Yi J G, Lai Y Q, Tian Z L, Jia M, Yan J F, Liu Y X 2009 Supplemental Proceedings Volume 2: Materials Characterization, Computation and Modeling TMS 2009 Annual Meeting & Exhibition, 281

    [12]

    ] Wicks C E, Block F E 1963 Thermodynamic properties of 65 Elements\|their oxides, halides, carbides, and nitrides (Washington: United States Government Printing)

    [13]

    ] Rao G M, Elwell D, Feigelson R S 1980 J. Electrochem. Soc. 127 1940

    [14]

    ] Rao G M, Elwell D, Feigelson R S 1981 J. Electrochem. Soc. 128 1708

    [15]

    ] Sharma I G, Mukherjee T K 1986 Metall Trans B 17 395

    [16]

    ] Olson J M, Carleton K L 1984 U. S. patent 4448651

  • [1]

    [1]Chandra P K, David B, Joyce F S 2002 Sol. Energy Mater. Sol. Cell.74 77

    [2]

    [2]Richard M S 2006 Prog. Photovolt: Res. Appl. 14 443

    [3]

    [3]Alvin D C 2006 Sol. Energy Mater. Sol. Cell. 90 2170

    [4]

    [4]Zhang X D, Zhao Y, Gao Y T 2005 Acta Phys. Sin.54 4874 (in Chinese)[张晓丹、 赵颖、 高艳涛、 朱峰 2005 物理学报 54 4874]

    [5]

    [5]Sun F H, Zhang X D, Wang G H, Xu S Z, Yue Q, Wei C C, Sun J, Geng X H, Xiong S Z, Zhao Y 2009 Acta Phys. Sin. 58 1293 (in Chinese)[孙福河、 张晓丹、 王光红、 许盛之、 岳强、 魏长春、 孙建、 耿新华、 熊绍珍、 赵颖 2009 物理学报 58 1293]

    [6]

    [6]Ao J P, Yang L, Yan L, Sun G Z 2009 Acta Phys. Sin. 58 1870 (in Chinese)[敖建平、 杨亮、 闫礼、孙国忠 2009 物理学报 58 1870]

    [7]

    [7]Zhang Z X, Wang E K 2000 Electrochemistry Principle and Method (Beijing: Science Press) p55[张祖训、 汪尔康 2000 电化学原理和方法 (北京: 科学出版社) 第55页]

    [8]

    [8]Monnier R, Barakat D U. S. patents 3219561 and 3254010

    [9]

    [9]Elwell D 1988 J. Appl. Electrochem . 8 15

    [10]

    ] Olson J M, Carleton K L 1981 J. Electrochem. Soc. 128 2698

    [11]

    ]Yi J G, Lai Y Q, Tian Z L, Jia M, Yan J F, Liu Y X 2009 Supplemental Proceedings Volume 2: Materials Characterization, Computation and Modeling TMS 2009 Annual Meeting & Exhibition, 281

    [12]

    ] Wicks C E, Block F E 1963 Thermodynamic properties of 65 Elements\|their oxides, halides, carbides, and nitrides (Washington: United States Government Printing)

    [13]

    ] Rao G M, Elwell D, Feigelson R S 1980 J. Electrochem. Soc. 127 1940

    [14]

    ] Rao G M, Elwell D, Feigelson R S 1981 J. Electrochem. Soc. 128 1708

    [15]

    ] Sharma I G, Mukherjee T K 1986 Metall Trans B 17 395

    [16]

    ] Olson J M, Carleton K L 1984 U. S. patent 4448651

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出版历程
  • 收稿日期:  2009-04-22
  • 修回日期:  2009-06-30
  • 刊出日期:  2010-03-15

电解精炼制备太阳级硅杂质行为研究

  • 1. 中南大学冶金科学与工程学院,长沙 410083
    基金项目: 

    高等学校博士学科点专项科研基金(批准号:200805331120)资助的课题.

摘要: 在氟化物电解质体系下,把Cu与冶金级多晶硅熔配成合金作为阳极,利用杂质与硅析出电位的差别,通过控制电解工艺条件和参数,对冶金硅进行了电解精炼提纯研究.结果表明,阳极铜硅合金对硅中的杂质有滞留作用,且在大电流密度下Cu不会随着合金中硅的减少而溶解到电解质中;预电解对电解质净化效果明显,XRF分析表明P含量从10降为1 ppmw;阴极电沉积的硅呈颗粒状,并与电解质混杂,随着电解时间的延长,分散的硅的颗粒聚集成1—2 cm直径的大尺寸硅球.ICP-AES分析表明,最后得到的产物硅与冶金级硅相比,硼含量由127

English Abstract

参考文献 (16)

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