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SmFeAsO材料的正电子寿命研究

郝颖萍 陈祥磊 成斌 孔伟 许红霞 杜淮江 叶邦角

SmFeAsO材料的正电子寿命研究

郝颖萍, 陈祥磊, 成斌, 孔伟, 许红霞, 杜淮江, 叶邦角
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  • 首次用正电子湮灭寿命谱仪(PALS)测量SmFeAsO多晶样品常温下的寿命谱,得到两个寿命成分1516 ps和2903 ps,根据捕获模型得到正电子在SmFeAsO中湮灭的体寿命为1870 ps,与理论计算(广义梯度近似)得到的SmFeAsO单晶中的正电子体寿命173 ps符合较好.基于中性原子叠加模型-有限差分方法(SNA-FD)的理论计算得到正电子与单晶SmFeAsO中各个原子价电子的总湮灭率是其与各个原子核心内层电子总湮灭率的106倍,正电子与Fe,As,Sm,O原子的电子湮灭的概率之比是1∶13∶12∶1.
    • 基金项目: 国家自然科学基金(批准号:10675114)和国家自然科学基金重点项目(批准号:10835006)资助的课题.
    [1]

    [1]McMillan W L 1968 Phys. Rev. 167 331

    [2]

    [2]Chen X H, Wu T, Wu G, Liu R H, Chen H, Fang D F 2008 Nature 453 761

    [3]

    [3]Plazaolat F, de Diegot N 1994 J. Phys. D: Condens. Matter 6 447

    [4]

    [4]Falub C V, Mijnarends P E, Eijt S W H, van Huis M A, van Veen A, Schut H 2002 Phys. Rev. B 66 075426

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    [5]Chen X L, Kong W, Weng H M, Ye B J 2008 Acta Phys. Sin. 57 3271 (in Chinese) [陈祥磊、孔伟、翁惠民、叶邦角 2008 物理学报 57 3271]

    [6]

    [6]Chen X L, Xi C Y, Ye B J, Weng H M 2007 Acta Phys. Sin. 56 6695 (in Chinese) [陈祥磊、郗传英、叶邦角、翁惠民 2007 物理学报 56 6695]

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    [7]Jensen K O 1989 J. Phys. D: Condens. Matter 1 10595

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    [8]Puska M J, Nieminen R M 1983 J. Phys. F: Met. Phys. 13

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    [9]Plazaola F, Seitsonent A P, Puska M J 1994 J. Phys. D: Condens. Matter 6 8809

    [10]

    ]Boronski E, Nieminen R M 1986 Phys. Rev. B 34 3820

    [11]

    ]Barbiellini B, Puska M J, Korhonen T, Harju A, Torsti T, Nieminen R M 1996 Phys. Rev. B 53 16201

    [12]

    ]Liu R H, Wu G, Wu T, Fang D F, Chen H, Li S Y, Xie Y L, Wang X F, Yang R L, Ding L, He C, Feng D L, Chen X H 2008 Phys. Rev. Lett. 101 087001

    [13]

    ]Liu L H, Dong C, Deng D M, Chen Z P, Zhang J C 2001 Acta Phys. Sin. 50 769 (in Chinese) [刘丽华、董成、邓冬梅、陈镇平、张金仓 2001 物理学报 50 769]

    [14]

    ]Chen Z P, Zhang J C, Cao G X, Cao S X 2002 Acta Phys. Sin. 51 2150 (in Chinese) [陈镇平、张金仓、曹桂新、曹世勋 2002 物理学报 51 2150]

    [15]
  • [1]

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    [6]Chen X L, Xi C Y, Ye B J, Weng H M 2007 Acta Phys. Sin. 56 6695 (in Chinese) [陈祥磊、郗传英、叶邦角、翁惠民 2007 物理学报 56 6695]

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出版历程
  • 收稿日期:  2009-03-08
  • 修回日期:  2009-08-28
  • 刊出日期:  2010-02-05

SmFeAsO材料的正电子寿命研究

  • 1. 中国科学技术大学近代物理系,合肥 230036
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:10675114)和国家自然科学基金重点项目(批准号:10835006)资助的课题.

摘要: 首次用正电子湮灭寿命谱仪(PALS)测量SmFeAsO多晶样品常温下的寿命谱,得到两个寿命成分1516 ps和2903 ps,根据捕获模型得到正电子在SmFeAsO中湮灭的体寿命为1870 ps,与理论计算(广义梯度近似)得到的SmFeAsO单晶中的正电子体寿命173 ps符合较好.基于中性原子叠加模型-有限差分方法(SNA-FD)的理论计算得到正电子与单晶SmFeAsO中各个原子价电子的总湮灭率是其与各个原子核心内层电子总湮灭率的106倍,正电子与Fe,As,Sm,O原子的电子湮灭的概率之比是1∶13∶12∶1.

English Abstract

参考文献 (15)

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