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反射式负电子亲和势GaN光电阴极量子效率衰减机理研究

常本康 邹继军 乔建良 牛军 杜晓晴

反射式负电子亲和势GaN光电阴极量子效率衰减机理研究

常本康, 邹继军, 乔建良, 牛军, 杜晓晴
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  • 针对反射式负电子亲和势(NEA) GaN光电阴极量子效率的衰减以及不同波段对应量子效率衰减速度的不同,参照国外给出的NEA GaN光电阴极在反射模式下量子效率曲线随时间的衰减变化情况,利用GaN光电阴极铯氧激活后的表面模型[GaN(Mg):Cs]:O-Cs,结合量子效率衰减过程中表面势垒的变化,研究了反射式NEA GaN光电阴极量子效率的衰减机理. 有效偶极子数量的减小是造成量子效率降低的根本原因,表面I,II势垒形状的变化造成了不同波段对应的量子效率下降速度的不同.
    • 基金项目: 国家自然科学基金 (批准号:60871012,60701013)和河南省教育厅自然科学研究计划(批准号: 2010C510009)资助的课题.
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  • [1] 付小倩, 常本康, 李飙, 王晓晖, 乔建良. 负电子亲和势GaN光电阴极的研究进展. 物理学报, 2011, 60(3): 038503. doi: 10.7498/aps.60.038503
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    [20] 陈鑫龙, 赵静, 常本康, 徐源, 张益军, 金睦淳, 郝广辉. 指数掺杂反射式GaAlAs和GaAs光电阴极比较研究. 物理学报, 2013, 62(3): 037303. doi: 10.7498/aps.62.037303
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出版历程
  • 收稿日期:  2009-04-27
  • 修回日期:  2009-07-21
  • 刊出日期:  2010-02-05

反射式负电子亲和势GaN光电阴极量子效率衰减机理研究

  • 1. (1)南京理工大学电子工程与光电技术学院,南京 210094; (2)南京理工大学电子工程与光电技术学院,南京 210094;南阳理工学院电子与电气工程系,南阳 473004; (3)重庆大学光电工程学院,重庆 400030
    基金项目: 

    国家自然科学基金 (批准号:60871012,60701013)和河南省教育厅自然科学研究计划(批准号: 2010C510009)资助的课题.

摘要: 针对反射式负电子亲和势(NEA) GaN光电阴极量子效率的衰减以及不同波段对应量子效率衰减速度的不同,参照国外给出的NEA GaN光电阴极在反射模式下量子效率曲线随时间的衰减变化情况,利用GaN光电阴极铯氧激活后的表面模型[GaN(Mg):Cs]:O-Cs,结合量子效率衰减过程中表面势垒的变化,研究了反射式NEA GaN光电阴极量子效率的衰减机理. 有效偶极子数量的减小是造成量子效率降低的根本原因,表面I,II势垒形状的变化造成了不同波段对应的量子效率下降速度的不同.

English Abstract

参考文献 (20)

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