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非故意掺杂4H-SiC外延材料本征缺陷的热稳定性

程萍 张玉明 张义门 王悦湖 郭辉

非故意掺杂4H-SiC外延材料本征缺陷的热稳定性

程萍, 张玉明, 张义门, 王悦湖, 郭辉
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  • 采用电子顺磁共振(ESR)和低温光致发光(PL)技术,研究了退火温度对低压化学气相沉积法(LPCVD)制备的非故意掺杂 4H-SiC材料中本征缺陷稳定性的影响.结果发现,当退火时间为10 min和30 min时,本征缺陷浓度均随着退火温度的升高而增大,当退火温度达到1573 K时材料中本征缺陷浓度达到最大,继续升高退火温度将使材料中本征缺陷浓度迅速降低.退火温度对材料中本征缺陷的影响主要是由于退火中本征缺陷的稳定化过程及本征缺陷之间发生强烈的相互作用引起的.
    • 基金项目: 国家自然科学基金(批准号:60876061), 预研基金(批准号:9140A08050508),和陕西13115创新工程(批准号:2008ZDKG-30)资助的课题.
    [1]

    [1]Sriram S, Ward A, Henning J, Allen S T 2005 MRS Bull. 30 308

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    [2]Waldrop J R, Grant R W, Wang Y C, Davies R F 1992 J. Appl. Phys. 72 4757

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    [3]Cochran C J, Lenahan P M 2007 Appl. Phys. Lett. 90 123501

    [4]

    [4]Jenny J R, Müller St G, Powell A, Tsvetkov V F, Hobgood H M, Glass R C, Carter C H 2002 J. Electron. Mater. 31 366

    [5]

    [5]Ellison, Magnusson B, Hemmingsson C, Magnusson W, Iakimov T, Storasta L, Henry A, Henelius N H, Janzén E 2001 Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 640 H1.21.1

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    [6]Son N T, Carlsson P, Gllstrm A, Magnusson B, Janzén E 2007 Physica B 401 67

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    [7]Janzén E, Son NT, Magnusson B, Ellison A 2006 Microelectronic Engineering 83 130

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    [8]Carlos W E, Garces N Y, Glaser E R 2006 Phys. Rev. B 74 235201

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    [9]Son N T, Magnusson B, Zolnai Z, Ellison A, Janzeén E 2004 Mater.Sci. Forum 457-460 437

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    ]Alfieri G, Kimoto T 2007 J. Phys. Condens. Matter 19 306204

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    ]Cheng P, Zhang Y M, Guo H, Zhang Y M,Liao Y L 2009 Acta Phys . Sin 58 4214 (in Chinese) [程萍、张玉明、郭辉、张义门、廖宇龙 2009 物理学报 58 4214]

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    ]Korsunska N E, Tarasov I, Kushnirenks V, Ostapenko S 2004 Semicond, Sci. Technol. 19 833

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    ]Lauer V 1999 Mater. Sci. Eng. B 61-62 248

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    ]Ivanov V Y 2008 Opt. Mater. 30 748

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    ]Jia R X, Zhang Y M, Zhang Y M, Guo H, Luan S Z 2008 Acta Phys. Sin. 57 4457(in Chinese) [贾仁需、张义门、张玉明、郭辉、栾苏珍 2008 物理学报 57 4457]

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    ]Carlos W E, Glaser E R, Shanabrook B V 2003 Physica B 151 340

    [17]

    ]Michel Bockstedte, Adam Gali, Alexander Mattausch, Pankratov O, Steeds J W 2008 J. Phys. Stat. Sol. B 7 1281

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    [2]Waldrop J R, Grant R W, Wang Y C, Davies R F 1992 J. Appl. Phys. 72 4757

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    [4]Jenny J R, Müller St G, Powell A, Tsvetkov V F, Hobgood H M, Glass R C, Carter C H 2002 J. Electron. Mater. 31 366

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    ]Jia R X, Zhang Y M, Zhang Y M, Guo H, Luan S Z 2008 Acta Phys. Sin. 57 4457(in Chinese) [贾仁需、张义门、张玉明、郭辉、栾苏珍 2008 物理学报 57 4457]

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出版历程
  • 收稿日期:  2009-07-26
  • 修回日期:  2009-09-09
  • 刊出日期:  2010-05-15

非故意掺杂4H-SiC外延材料本征缺陷的热稳定性

  • 1. 西安电子科技大学微电子学院,宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安 710071
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:60876061), 预研基金(批准号:9140A08050508),和陕西13115创新工程(批准号:2008ZDKG-30)资助的课题.

摘要: 采用电子顺磁共振(ESR)和低温光致发光(PL)技术,研究了退火温度对低压化学气相沉积法(LPCVD)制备的非故意掺杂 4H-SiC材料中本征缺陷稳定性的影响.结果发现,当退火时间为10 min和30 min时,本征缺陷浓度均随着退火温度的升高而增大,当退火温度达到1573 K时材料中本征缺陷浓度达到最大,继续升高退火温度将使材料中本征缺陷浓度迅速降低.退火温度对材料中本征缺陷的影响主要是由于退火中本征缺陷的稳定化过程及本征缺陷之间发生强烈的相互作用引起的.

English Abstract

参考文献 (17)

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