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电场调谐InAs单量子点的发光光谱

常秀英 窦秀明 孙宝权 熊永华 倪海桥 牛智川

电场调谐InAs单量子点的发光光谱

常秀英, 窦秀明, 孙宝权, 熊永华, 倪海桥, 牛智川
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  • 采用稳态和时间分辨发光光谱,研究了生长在p-i-n二极管结构内的InAs单量子点发光光谱的电场调谐特性.随着电场强度的增加,观察到量子点中激子发光的Stark 效应.通过选择不同波长的激光线激发量子点样品,发现随着电场强度的增加导致量子点发光强度的减弱,这是由于量子点俘获载流子概率的减小所致,而激子寿命的增加源于电场导致激子的Stark效应.
    • 基金项目: 国家自然科学基金(批准号: 60676054)资助的课题.
    [1]

    [1]Awschalom D D, Loss D, Samarth N 2002 Semiconductor Spintronics and Quantum Computing (New York: Springer) p229

    [2]

    [2]Yuan Z L, Kardynal B E, Stevenson R M, Shields A J, Lobo C C K, Beattie N S, Ritchie D A, Michael P 2002 Science 295 102

    [3]

    [3]Gu B J, Xu W B, Ye B 2008 Acta Phys. Sin. 57 689 (in Chinese) [顾斌杰、须文波、叶宾 2008 物理学报 57 689]

    [4]

    [4]Yin J W, Xiao J L, Yu Y F, Wang Z W 2008 Acta Phys. Sin. 57 689(in Chinese) [尹辑文、肖景林、于毅夫、王子武 2008 物理学报 57 2695]

    [5]

    [5]Gammon D, Snow E S, Shanabrook B V, Katzer D S, Park D 1996 Phys. Rev. Lett. 76 3005

    [6]

    [6]Hameau S, Guldner Y, Verzelen O, Ferreira R, Bastard G, Zeman J, Lematre A, Gérard J M 1999 Phys. Rev. Lett. 83 4152

    [7]

    [7]Lundstrom T, Schoenfeld W, Lee H, Petroff P M 1999 Science 286 2312

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    [8]Drexler H, Leonard D, Hansen W, Kotthaus J P, Petroff P M 1994 Phys. Rev. Lett. 73 2252

    [9]

    [9]Warburton R J, Schflein C, Haft D, Bickel F, Lorke A, Karrai K, Garcia J M, Schoenfeld W, Petrof P M 2000 Nature 405 926

    [10]

    ]Ediger M, Dalgarno P A, Smith J M, Gerardot B D, Warburton R J, Karrai K, Petroff P M 2005 Appl. Phys. Lett. 86 211909

    [11]

    ]Finley J J, Sabathil M, Vogl P, Abstreiter G, Oulton R, Tartakovskii A I, Mowbray D J, Skolnick M S 2004 Phys. Rev. B 70 201308

    [12]

    ]Schmidt K H, Medeiros-Ribeiro G, Petroff P M 1998 Phys. Rev. B 58 3597

    [13]

    ]Findeis F, Baier M, Beham E, Zrenner A, Abstreiter G 2001 Appl. Phys. Lett. 78 2958

    [14]

    ]Haft D, Warburton R J, Karrai K, Huant S, Medeiros-Ribeiro G, Garcia J M, Schoenfeld W, Petroff P M 2001 Appl. Phys. Lett. 78 2946

    [15]

    ]Bennett A J, Unitt D C, See P, Shields A J, Atkinson P, Cooper K, Ritchie D A 2005 Phys. Rev. B 72 033316

    [16]

    ]Miyazawa T, Nakaoka T, Usuki T, Tatebayashi J, Arakawa Y, Hirose S, Takemoto K, Takatsu M, Yokoyama N 2008 J. Appl. Phys. 104 013504

    [17]

    ]Bosch J, Alén B, Martínez-Pastor J, Granados D, García J M, Gonzlez L 2008 Superlat. Microstruct. 43 582

  • [1]

    [1]Awschalom D D, Loss D, Samarth N 2002 Semiconductor Spintronics and Quantum Computing (New York: Springer) p229

    [2]

    [2]Yuan Z L, Kardynal B E, Stevenson R M, Shields A J, Lobo C C K, Beattie N S, Ritchie D A, Michael P 2002 Science 295 102

    [3]

    [3]Gu B J, Xu W B, Ye B 2008 Acta Phys. Sin. 57 689 (in Chinese) [顾斌杰、须文波、叶宾 2008 物理学报 57 689]

    [4]

    [4]Yin J W, Xiao J L, Yu Y F, Wang Z W 2008 Acta Phys. Sin. 57 689(in Chinese) [尹辑文、肖景林、于毅夫、王子武 2008 物理学报 57 2695]

    [5]

    [5]Gammon D, Snow E S, Shanabrook B V, Katzer D S, Park D 1996 Phys. Rev. Lett. 76 3005

    [6]

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    [7]Lundstrom T, Schoenfeld W, Lee H, Petroff P M 1999 Science 286 2312

    [8]

    [8]Drexler H, Leonard D, Hansen W, Kotthaus J P, Petroff P M 1994 Phys. Rev. Lett. 73 2252

    [9]

    [9]Warburton R J, Schflein C, Haft D, Bickel F, Lorke A, Karrai K, Garcia J M, Schoenfeld W, Petrof P M 2000 Nature 405 926

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    ]Schmidt K H, Medeiros-Ribeiro G, Petroff P M 1998 Phys. Rev. B 58 3597

    [13]

    ]Findeis F, Baier M, Beham E, Zrenner A, Abstreiter G 2001 Appl. Phys. Lett. 78 2958

    [14]

    ]Haft D, Warburton R J, Karrai K, Huant S, Medeiros-Ribeiro G, Garcia J M, Schoenfeld W, Petroff P M 2001 Appl. Phys. Lett. 78 2946

    [15]

    ]Bennett A J, Unitt D C, See P, Shields A J, Atkinson P, Cooper K, Ritchie D A 2005 Phys. Rev. B 72 033316

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    ]Miyazawa T, Nakaoka T, Usuki T, Tatebayashi J, Arakawa Y, Hirose S, Takemoto K, Takatsu M, Yokoyama N 2008 J. Appl. Phys. 104 013504

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  • [1] 苏丹, 窦秀明, 丁琨, 王海艳, 倪海桥, 牛智川, 孙宝权. 金纳米颗粒光散射提高InAs单量子点荧光提取效率. 物理学报, 2015, 64(23): 235201. doi: 10.7498/aps.64.235201
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出版历程
  • 收稿日期:  2009-07-10
  • 修回日期:  2009-12-22
  • 刊出日期:  2010-06-15

电场调谐InAs单量子点的发光光谱

  • 1. 中国科学院半导体研究所超晶格与微结构国家重点实验室,北京 100083
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号: 60676054)资助的课题.

摘要: 采用稳态和时间分辨发光光谱,研究了生长在p-i-n二极管结构内的InAs单量子点发光光谱的电场调谐特性.随着电场强度的增加,观察到量子点中激子发光的Stark 效应.通过选择不同波长的激光线激发量子点样品,发现随着电场强度的增加导致量子点发光强度的减弱,这是由于量子点俘获载流子概率的减小所致,而激子寿命的增加源于电场导致激子的Stark效应.

English Abstract

参考文献 (17)

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