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SiH4/H2等离子体气相生长硅薄膜的动力学模型

陈改荣 文书堂 张丽伟 张红卫 卢景霄

SiH4/H2等离子体气相生长硅薄膜的动力学模型

陈改荣, 文书堂, 张丽伟, 张红卫, 卢景霄
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  • 在化学气相沉积微晶硅薄膜过程中,为了降低成本,必须提高生长速率,但薄膜的微观结构和光电性能则随之降低,原因是成膜先驱物在薄膜表面上的扩散长度降低了. 本文利用量子化学的反应动力学理论建立有关成膜先驱物SiH3和H的反应平衡方程,求解薄膜生长速率和成膜先驱物的扩散长度,并找出影响生长速率与扩散长度的微观参数,发现生长速率不仅与流向衬底的SiH3的通量密度有关,而且与H的通量密度有关;SiH3的扩散长度与衬底温度和薄膜表面的硅氢键的形态有关,当
    • 基金项目: 国家重点基础研究发展计划(批准号:2006CB202601)资助的课题.
    [1]

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出版历程
  • 收稿日期:  2009-06-05
  • 修回日期:  2010-03-05
  • 刊出日期:  2010-07-15

SiH4/H2等离子体气相生长硅薄膜的动力学模型

  • 1. (1)新乡学院化学与化工学院,新乡 453003; (2)新乡学院化学与化工学院,新乡 453003; 郑州大学材料物理教育部重点实验室,郑州 450052; (3)新乡学院化学与化工学院,新乡 453003; 郑州师专物理系,郑州 450005; (4)郑州大学材料物理教育部重点实验室,郑州 450052
    基金项目: 

    国家重点基础研究发展计划(批准号:2006CB202601)资助的课题.

摘要: 在化学气相沉积微晶硅薄膜过程中,为了降低成本,必须提高生长速率,但薄膜的微观结构和光电性能则随之降低,原因是成膜先驱物在薄膜表面上的扩散长度降低了. 本文利用量子化学的反应动力学理论建立有关成膜先驱物SiH3和H的反应平衡方程,求解薄膜生长速率和成膜先驱物的扩散长度,并找出影响生长速率与扩散长度的微观参数,发现生长速率不仅与流向衬底的SiH3的通量密度有关,而且与H的通量密度有关;SiH3的扩散长度与衬底温度和薄膜表面的硅氢键的形态有关,当

English Abstract

参考文献 (37)

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