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UO2的电子结构及光学性质的第一性原理研究

陈秋云 赖新春 王小英 张永彬 谭世勇

UO2的电子结构及光学性质的第一性原理研究

陈秋云, 赖新春, 王小英, 张永彬, 谭世勇
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出版历程
  • 收稿日期:  2009-08-22
  • 修回日期:  2009-10-25
  • 刊出日期:  2010-07-15

UO2的电子结构及光学性质的第一性原理研究

  • 1. 表面物理与化学国家重点实验室,绵阳 621907
    基金项目: 

    中国工程物理研究院科学技术发展基金(批准号: 2009B0301037)资助的课题.

摘要: 采用局域自旋密度近似 (LSDA)和有效库仑相关能 (U) 方法研究了UO2的晶格参数、能带结构和光学常数. 计算得到的UO2晶体的晶格常数为5.40 ?,带隙宽度为1.82 eV,正确预测了UO2的反铁磁性半导体基态性质. 能带结构和介电函数的分析结果表明,铀的6d电子在晶体场中发生劈裂形成两个能级,与实验结果较为符合.

English Abstract

参考文献 (17)

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