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不同表面结构的半导体发光二极管的效率与寿命的研究

陈依新 沈光地 韩金茹 李建军 郭伟玲

不同表面结构的半导体发光二极管的效率与寿命的研究

陈依新, 沈光地, 韩金茹, 李建军, 郭伟玲
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出版历程
  • 收稿日期:  2009-05-12
  • 修回日期:  2009-05-31
  • 刊出日期:  2010-01-15

不同表面结构的半导体发光二极管的效率与寿命的研究

  • 1. 北京工业大学光电子技术实验室,北京 100124
    基金项目: 

    国家高技术研究发展计划(批准号:2006AA03A121)和国家重点基础研究发展计划(批准号:2006CB604902)资助的课题.

摘要: 对GaAs基AlGaInP系半导体发光二极管(light emitting diode,LED)提取效率低导致器件发热而寿命缩短等问题进行了分析,提出了一种新型表面结构的LED,在与普通LED相同的外延生长条件下,通过后工艺引入了表面图形并腐蚀出凹凸不平的表面以改变光子传输方向,同时制备了导电光增透层,既增强了电流的扩展同时使得更多的光子能够发射到体外,在相同的注入电流下,新型表面增透结构LED的轴向光强平均是普通LED的15倍,由于光提取效率高,更多的光子能够发射到体外,发热减少,饱和电流更高,达到1

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