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ZnO-Bi2O3系压敏陶瓷的晶界电子结构

成鹏飞 李盛涛 李建英

ZnO-Bi2O3系压敏陶瓷的晶界电子结构

成鹏飞, 李盛涛, 李建英
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出版历程
  • 收稿日期:  2009-03-30
  • 修回日期:  2009-05-14
  • 刊出日期:  2010-01-15

ZnO-Bi2O3系压敏陶瓷的晶界电子结构

  • 1. (1)西安工程大学理学院,西安 710048; (2)西安交通大学电力设备电气绝缘国家重点实验室,西安 710049
    基金项目: 

    西安工程大学博士科研启动基金(批准号: BS0814),国家杰出青年基金(批准号: 50625721)资助的课题.

摘要: 测量了ZnO-Bi2O3系压敏陶瓷在不同温度下的介电频谱,基于压敏陶瓷介电特征损耗峰起源于耗尽层内本征缺陷电子松弛过程的理论,计算了ZnO的本征缺陷结构,并进一步求出了晶界的微观电参数和宏观单晶界击穿电压.单晶界击穿电压的理论值与实验测量值符合得很好,这表明本文建立的基于介电谱计算本征缺陷的方法是有效的.

English Abstract

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