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射频磁控溅射法制备ZnS多晶薄膜及其性质

谢婧 黎兵 李愿杰 颜璞 冯良桓 蔡亚平 郑家贵 张静全 李卫 武莉莉 雷智 曾广根

射频磁控溅射法制备ZnS多晶薄膜及其性质

谢婧, 黎兵, 李愿杰, 颜璞, 冯良桓, 蔡亚平, 郑家贵, 张静全, 李卫, 武莉莉, 雷智, 曾广根
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  • 实验采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上沉积了ZnS多晶薄膜,研究了沉积气压、退火温度和衬底温度对ZnS薄膜质量的影响.利用X射线衍射(XRD)分析了薄膜的微结构,并计算了内应力值.通过紫外-可见光分光光度计测量了薄膜的透过谱,计算了Urbach能量和禁带宽度.利用扫描电子显微镜(SEM)观察了薄膜的表面形貌.结果表明: 衬底温度为室温时沉积的ZnS薄膜具有较大的压应力,并且内应力值随着工作气压增大而增大,在300 ℃下进行退火处理后内应力松弛,衬底温度为350 ℃时制备的ZnS薄膜内应力小,透过率高,经300 ℃退火处理后结晶质量有所提高.
    • 基金项目: 国家自然科学基金(批准号: 60506004), 国家高技术研究发展计划(批准号: 2003AA513010)资助的课题.
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出版历程
  • 收稿日期:  2009-11-26
  • 修回日期:  2009-12-22
  • 刊出日期:  2010-04-05

射频磁控溅射法制备ZnS多晶薄膜及其性质

  • 1. 四川大学材料科学与工程学院,成都 610064
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号: 60506004), 国家高技术研究发展计划(批准号: 2003AA513010)资助的课题.

摘要: 实验采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上沉积了ZnS多晶薄膜,研究了沉积气压、退火温度和衬底温度对ZnS薄膜质量的影响.利用X射线衍射(XRD)分析了薄膜的微结构,并计算了内应力值.通过紫外-可见光分光光度计测量了薄膜的透过谱,计算了Urbach能量和禁带宽度.利用扫描电子显微镜(SEM)观察了薄膜的表面形貌.结果表明: 衬底温度为室温时沉积的ZnS薄膜具有较大的压应力,并且内应力值随着工作气压增大而增大,在300 ℃下进行退火处理后内应力松弛,衬底温度为350 ℃时制备的ZnS薄膜内应力小,透过率高,经300 ℃退火处理后结晶质量有所提高.

English Abstract

参考文献 (19)

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