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基于Si-rich SiNx/N-rich SiNy多层膜结构的量子点构筑及发光特性

黄锐 王旦清 宋捷 丁宏林 王祥 郭艳青 陈坤基 徐骏 李伟 马忠元

基于Si-rich SiNx/N-rich SiNy多层膜结构的量子点构筑及发光特性

黄锐, 王旦清, 宋捷, 丁宏林, 王祥, 郭艳青, 陈坤基, 徐骏, 李伟, 马忠元
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  • 利用等离子体增强化学气相沉积法制备Si-rich SiNx/N-rich SiNy多层膜,分别使用热退火和激光辐照技术对多层膜进行退火,以构筑三维限制、尺寸可控、有序的硅纳米晶.实验结果表明,经退火后,纳米硅晶粒在Si-rich SiNx子层内形成,其尺寸可由Si-rich SiNx子层厚度调控.实验还发现,激光辐照技术相比于热退火能更有效地改善多层膜的微结构,提高多层膜的晶化率,以激光技术诱导晶化的Si-rich SiNx/N-rich SiNy多层膜作为有源层构建电致发光器件,在室温下观察到了增强的电致可见发光,并且发光效率较退火前提高了40%以上.
    • 基金项目: 国家重点基础研究发展计划(批准号:2006CB932202,2007CB613401),国家自然科学基金(批准号:60806046)资助的课题.
    [1]

    Wang M, Li D, Yuan Z, Yang D, Que D 2007 Appl. Phys. Lett. 90 131903

    [2]

    Hao H L, Wu L K, Shen W Z 2007 Appl. Phys. Lett. 92 121922

    [3]

    Chen K, Huang X, Xu J, Feng D 1992 Appl. Phys. Lett. 61 2069

    [4]

    Liu Y, Chen K, Qiao F, Huang X, Han P, Qian B, Ma Z, Li W, Xu J, Chen K 2006 Acta Phys. Sin. 55 5403 (in Chinese)[刘艳松、 陈 铠、 乔 峰、 黄信凡、 韩培高、 钱 波、 马忠元、 李 伟、 徐 骏、 陈坤基 2006 物理学报 55 5403]

    [5]

    Zacharias M, Blasing J, Veit P, Tsybeskov L, Hirschman K, Fauchet P M, 1999 Appl. Phys. Letts. 74 2614

    [6]

    Qin G G, Chen Y, Ran G Z, Zhang B R, Wang S H, Qin G, Ma Z C, Zong W H, Ren S F 2001 J. Phys.:Condens. Matter 13 11751

    [7]

    Huang R, Chen K J, Dong H P, Wang D Q, Ding H L, Li W, Xu J, Ma Z Y, Xu L 2007 Appl. Phys. Lett. 91 111104

    [8]

    Kamei T, Stradins P, Mastsuda A, 1999 Appl. Phys. Lett. 74 1707

    [9]

    Zi J, Buscher H, Falter C, Ludwig W, Zhang K, Xie X 1996 Appl. Phys. Lett. 69 200

  • [1]

    Wang M, Li D, Yuan Z, Yang D, Que D 2007 Appl. Phys. Lett. 90 131903

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    Hao H L, Wu L K, Shen W Z 2007 Appl. Phys. Lett. 92 121922

    [3]

    Chen K, Huang X, Xu J, Feng D 1992 Appl. Phys. Lett. 61 2069

    [4]

    Liu Y, Chen K, Qiao F, Huang X, Han P, Qian B, Ma Z, Li W, Xu J, Chen K 2006 Acta Phys. Sin. 55 5403 (in Chinese)[刘艳松、 陈 铠、 乔 峰、 黄信凡、 韩培高、 钱 波、 马忠元、 李 伟、 徐 骏、 陈坤基 2006 物理学报 55 5403]

    [5]

    Zacharias M, Blasing J, Veit P, Tsybeskov L, Hirschman K, Fauchet P M, 1999 Appl. Phys. Letts. 74 2614

    [6]

    Qin G G, Chen Y, Ran G Z, Zhang B R, Wang S H, Qin G, Ma Z C, Zong W H, Ren S F 2001 J. Phys.:Condens. Matter 13 11751

    [7]

    Huang R, Chen K J, Dong H P, Wang D Q, Ding H L, Li W, Xu J, Ma Z Y, Xu L 2007 Appl. Phys. Lett. 91 111104

    [8]

    Kamei T, Stradins P, Mastsuda A, 1999 Appl. Phys. Lett. 74 1707

    [9]

    Zi J, Buscher H, Falter C, Ludwig W, Zhang K, Xie X 1996 Appl. Phys. Lett. 69 200

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出版历程
  • 收稿日期:  2009-09-22
  • 修回日期:  2010-03-22
  • 刊出日期:  2010-04-05

基于Si-rich SiNx/N-rich SiNy多层膜结构的量子点构筑及发光特性

  • 1. (1)韩山师范学院物理与电子工程系,潮州 521041; (2)南京大学物理系,固体微结构物理国家重点实验室,南京 210093
    基金项目: 

    国家重点基础研究发展计划(批准号:2006CB932202,2007CB613401),国家自然科学基金(批准号:60806046)资助的课题.

摘要: 利用等离子体增强化学气相沉积法制备Si-rich SiNx/N-rich SiNy多层膜,分别使用热退火和激光辐照技术对多层膜进行退火,以构筑三维限制、尺寸可控、有序的硅纳米晶.实验结果表明,经退火后,纳米硅晶粒在Si-rich SiNx子层内形成,其尺寸可由Si-rich SiNx子层厚度调控.实验还发现,激光辐照技术相比于热退火能更有效地改善多层膜的微结构,提高多层膜的晶化率,以激光技术诱导晶化的Si-rich SiNx/N-rich SiNy多层膜作为有源层构建电致发光器件,在室温下观察到了增强的电致可见发光,并且发光效率较退火前提高了40%以上.

English Abstract

参考文献 (9)

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