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一种基于金属开口谐振环和杆阵列的左手材料宽带吸收器

樊京 蔡广宇

一种基于金属开口谐振环和杆阵列的左手材料宽带吸收器

樊京, 蔡广宇
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  • 用数值仿真在微波X波段研究了金属开口谐振环和杆阵列这一最基本的谐振结构.通过合理的参数调节,这种结构在10.91 GHz附近可以表现出高达98%的吸收率,并且半高峰宽达到3.5 GHz.用散射参量提取法计算其有效电磁参数,发现在谐振频率附近其介电常数、磁导率和折射率的实部均为负值.相比于传统的左手材料,这种结构的电磁参数在谐振区域均具有较大的虚部,是形成高吸收率的根本原因.本文的左手材料吸收器在电磁加热、电磁隐身等领域具有许多潜在的应用.
    • 基金项目: 河南省杰出青年科学基金(批准号:0612002200),河南省科技攻关计划(批准号:0623021600)资助的课题.
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    Kafesaki M, Tsiapa I, Katsarakis N, Koschny T, Soukoulis C M, Economou E N 2007 Phys. Rev. B 75 235114

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出版历程
  • 收稿日期:  2009-11-09
  • 修回日期:  2009-12-22
  • 刊出日期:  2010-09-15

一种基于金属开口谐振环和杆阵列的左手材料宽带吸收器

  • 1. (1)南阳理工学院电子与电气工程系,南阳 473004; (2)南阳理工学院机电工程系,南阳 473004
    基金项目: 

    河南省杰出青年科学基金(批准号:0612002200),河南省科技攻关计划(批准号:0623021600)资助的课题.

摘要: 用数值仿真在微波X波段研究了金属开口谐振环和杆阵列这一最基本的谐振结构.通过合理的参数调节,这种结构在10.91 GHz附近可以表现出高达98%的吸收率,并且半高峰宽达到3.5 GHz.用散射参量提取法计算其有效电磁参数,发现在谐振频率附近其介电常数、磁导率和折射率的实部均为负值.相比于传统的左手材料,这种结构的电磁参数在谐振区域均具有较大的虚部,是形成高吸收率的根本原因.本文的左手材料吸收器在电磁加热、电磁隐身等领域具有许多潜在的应用.

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