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ZnO压敏陶瓷冲击老化的电子陷阱过程研究

成鹏飞 尹桂来 李建英 尧广 李盛涛

ZnO压敏陶瓷冲击老化的电子陷阱过程研究

成鹏飞, 尹桂来, 李建英, 尧广, 李盛涛
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出版历程
  • 收稿日期:  2009-09-11
  • 修回日期:  2009-10-13
  • 刊出日期:  2010-09-15

ZnO压敏陶瓷冲击老化的电子陷阱过程研究

  • 1. (1)西安工程大学理学院,西安 710048; (2)西安交通大学电力设备电气绝缘国家重点实验室,西安 710049
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:50747047和50977071)和中央高校基本科研业务费专项资金(批准号:2009xjtujc06)资助的课题.

摘要: 使用8/20 μs脉冲电流发生器对普通商用ZnO陶瓷压敏电阻片进行了最多5000次的冲击试验.测量了冲击前后试样的电气性能和介电特性,分析了冲击后小电流区的U-I特性和损耗角正切值tanδ随脉冲大电流的不断作用而发生的变化.实验发现压敏电压U1mA随冲击次数的增加经历增大—稳定—减小三个过程.认为正反偏Schottky势垒的中性费米能级的变化是影响样品小电流区的最根本原因.本文提出用试样的非线性系数α作为老化特征参数比传统的U

English Abstract

参考文献 (13)

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