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C60分子在Si(111)-7×7表面分子束外延生长的STM研究

孙静静 王丹 邹志强 梁齐 赵明海

C60分子在Si(111)-7×7表面分子束外延生长的STM研究

孙静静, 王丹, 邹志强, 梁齐, 赵明海
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出版历程
  • 收稿日期:  2009-04-23
  • 修回日期:  2009-04-28
  • 刊出日期:  2010-01-15

C60分子在Si(111)-7×7表面分子束外延生长的STM研究

  • 1. (1)上海交通大学分析测试中心,上海 200240; (2)上海交通大学物理系,上海 200240;上海交通大学分析测试中心,上海 200240
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:10674095)资助的课题.

摘要: 在超高真空中采用分子束外延(molecular beam epitaxial)技术进行C60分子在硅(111)-7×7表面的生长,并利用扫描隧道显微镜进行原位研究.室温下,相对于无层错半胞(unfaulted half unit cell),C60更易于吸附在有层错半胞(faulted half unit cell).表面台阶处的电子悬挂键密度最高,通过控制温度和时间进行退火处理后,C60分子会向着台阶的方向扩散并聚集.测量分子在不同吸附位

English Abstract

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