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铒离子注入6H-SiC的横向离散研究

秦希峰 王凤翔 梁毅 付刚 赵优美

铒离子注入6H-SiC的横向离散研究

秦希峰, 王凤翔, 梁毅, 付刚, 赵优美
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  • 利用离子注入掺杂技术设计、制作半导体集成器件时,了解离子注入半导体材料的射程分布、射程离散和横向离散规律等是很重要的.用400 keV能量的铒(Er)离子分别与样品表面法线方向成0°,45°和 60°倾角注入碳化硅(6H-SiC)晶体中,利用卢瑟福背散射技术研究了剂量为5×1015 cm-2 的400 keV Er离子注入6H-SiC晶体的横向离散.测出的实验值与TRIM98和SRIM 2006得到的理论模拟值进行了比较,发现实验值跟TRIM98和SRIM
    • 基金项目: 山东建筑大学校内基金(批准号: XN070109)资助的课题.
    [1]

    Derycke V, Soukiassian P G, Amy F, Chabal Y J, D'Angelo M D, Enriquez H B, Silly M G 2003 Nat. Mater. 2 253

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    Katsumata H, Uekusa S, Sai H 1996 J. Appl. Phys. 80 2383

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    Phys. Sin. 57 4456 (in Chinese) [贾仁需、 张义门、 张玉明、 郭 辉、 栾苏珍 2008 物理学报 57 4456]

    [4]

    Gao X, Sun G S, Li J M, Zhang Y X, Wang L, Zhao W S, Zeng Y P 2005 Chin. Phys. 14 599

    [5]

    Rittenhous T L, Bohn P W, Hossain T K, Adesida I, Lindesay J, Marcus A 2004 J. Appl. Phys. 95 490

    [6]

    Lin H F, Xie E Q, Ma Z W, Zhang J, Peng A H, He D Y 2004 Acta Phys. Sin. 53 2780 (in Chinese) [林洪峰、 谢二庆、 马紫微、 张 军、 彭爱华、 贺德衍 2004 物理学报 53 2780]

    [7]

    Li B, Chen Z M, Lin T, Pu H B, Li Q M, Li J 2007 Chin. Phys. 16 3470

    [8]

    Kozanecki A, Jeynes C, Sealy B J, Nejim A 1998 Nucl. Instrum. Meth. B 136-138 1272

    [9]

    Yan H, Chen G H, Wong S P, Kwok R W M 1998 Acta Phys. Sin. 47 876 (in Chinese) [严 辉、 陈光华、 黄世平、 郭伟民 1998 物理学报 47 876]

    [10]

    Yang Y T, Han R, Wang P 2008 Chin. Phys. B 17 3459

    [11]

    Dontas I, Kennou S 2001 Diam. Relat. Mater. 10 13

    [12]

    Jia R X, Zhang Y M, Zhang Y M, Guo H, Luan S Z 2008 Acta

    [13]

    Kozanecki A, Jeynes C, Barradas N P 1999 Nucl. Instrum. Meth. B 148 512

    [14]

    Wang Y X, Wen J, Tang Y Q, Guo Z, Tang H G, Wu J X 1998 Chin. Phys. 7 589

    [15]

    Awahara K, Uekusa S, Goto T 1999 Nucl. Instrum. Meth. B 148 507

    [16]

    Jin H, Bu F L, Wang R, Li L H, Yang W Y, Zhang L G, An L N 2009 Acta Phys. Sin. 58 2594 (in Chinese) [金 华、卜凡亮、 王 蓉、 李丽华、 杨为佑、 张立功、 安立楠 2009 物 〖16] Kozanecki A, Glukhanyuk V, Jantsch W 2003 Mat. Sci. Eng. B 105 169

    [17]

    Furukawa S, Matsumura H 1973 Appl. Phys. Lett. 22 97

    [18]

    Wang K M, Shi B R, Wang Z L, Zhao Q T, Liu X D, Liu J T 1991 Chinese Phys. Lett. 8 244

    [19]

    Morvan E, Mestres, Pascual J, Flores D, Vellvehi M, Rebollo J 1999 Mat. Sci. Eng. B 61-62 373

    [20]

    Chu W K, Mayer J W, Nicolet M A 1978 Backscattering Spectrometry (New York: Academic) chap 5, p137—141

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    Derycke V, Soukiassian P G, Amy F, Chabal Y J, D'Angelo M D, Enriquez H B, Silly M G 2003 Nat. Mater. 2 253

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    Jin H, Bu F L, Wang R, Li L H, Yang W Y, Zhang L G, An L N 2009 Acta Phys. Sin. 58 2594 (in Chinese) [金 华、卜凡亮、 王 蓉、 李丽华、 杨为佑、 张立功、 安立楠 2009 物 〖16] Kozanecki A, Glukhanyuk V, Jantsch W 2003 Mat. Sci. Eng. B 105 169

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    Wang K M, Shi B R, Wang Z L, Zhao Q T, Liu X D, Liu J T 1991 Chinese Phys. Lett. 8 244

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    Morvan E, Mestres, Pascual J, Flores D, Vellvehi M, Rebollo J 1999 Mat. Sci. Eng. B 61-62 373

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    Chu W K, Mayer J W, Nicolet M A 1978 Backscattering Spectrometry (New York: Academic) chap 5, p137—141

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出版历程
  • 收稿日期:  2009-12-24
  • 修回日期:  2010-01-05
  • 刊出日期:  2010-09-15

铒离子注入6H-SiC的横向离散研究

  • 1. 山东建筑大学理学院,济南 250101
    基金项目: 

    山东建筑大学校内基金(批准号: XN070109)资助的课题.

摘要: 利用离子注入掺杂技术设计、制作半导体集成器件时,了解离子注入半导体材料的射程分布、射程离散和横向离散规律等是很重要的.用400 keV能量的铒(Er)离子分别与样品表面法线方向成0°,45°和 60°倾角注入碳化硅(6H-SiC)晶体中,利用卢瑟福背散射技术研究了剂量为5×1015 cm-2 的400 keV Er离子注入6H-SiC晶体的横向离散.测出的实验值与TRIM98和SRIM 2006得到的理论模拟值进行了比较,发现实验值跟TRIM98和SRIM

English Abstract

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