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应变Si电子电导有效质量模型

赵丽霞 张鹤鸣 胡辉勇 戴显英 宣荣喜

应变Si电子电导有效质量模型

赵丽霞, 张鹤鸣, 胡辉勇, 戴显英, 宣荣喜
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出版历程
  • 收稿日期:  2009-08-07
  • 修回日期:  2010-01-07
  • 刊出日期:  2010-09-15

应变Si电子电导有效质量模型

  • 1. 西安电子科技大学微电子学院,宽禁带半导体材料与器件重点实验室,西安 710071
    基金项目: 

    国家部委项目(Nos. 51308040203, 9140A08060407DZ0103, 6139801)资助的课题.

摘要: 采用K·P微扰法建立了应变Si导带能谷由纵、横向有效质量表征的E-k关系,并在此基础上,研究分析了(001),(101),(111)晶面应变Si电子的电导有效质量与应力、能谷分裂能及晶向的关系.结果表明,弛豫Si1-xGex材料(001)面生长的应变Si沿[100],[010]晶向的电子电导有效质量和弛豫Si1-xGex材料(101)面生长的应变Si

English Abstract

参考文献 (9)

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