搜索

x

留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

双量子阱结构OLED效率和电流的磁效应

姜文龙 孟昭晖 丛林 汪津 王立忠 韩强 孟凡超 高永慧

双量子阱结构OLED效率和电流的磁效应

姜文龙, 孟昭晖, 丛林, 汪津, 王立忠, 韩强, 孟凡超, 高永慧
PDF
导出引用
  • 通过结构为ITO/NPB(60 nm)/ Alq3 ∶1 wt% rubrene(20 nm)/ Alq3(3 nm)/ Alq3 ∶1 wt% rubrene(20 nm)/ Alq3(20 nm)/LiF/Al的双量子阱的黄色有机电致发光器件,研究了不同磁场强度下的发光效率和电流变化特性. 研究结果表明该器件的电流是随着磁场强度的增加而单调下降的,显示了器件的电阻是随着磁场强度的增加而增加的. 同时也得到了该结构有
    • 基金项目: 国家青年基金项目(批准号:10804036),吉林省科技发展计划项目(批准号:20080528,20082112),吉林省教育厅科研计划项目 (批准号:[2007]154,[2008]155),四平科技局计划项目(批准号:四科合字第2005007号,四科合字第2006008号)资助的课题.
    [1]

    Xiong Z H, Wu D, Vardeny Z V, Shi J 2004 Nature 427 821

    [2]

    Nguyen T D, Rybicki J, Sheng Y, Wohlgenannt M 2008 Phys. Rev. B 77 235209

    [3]

    Wolf S A, Awschalom D D, Buhrman R A, Daughton J M, von Molnár S, Roukes M L, Chtchelkanova A Y, Treger D M 2001 Science 294 1488

    [4]

    Hu B, Wu Y 2007 Nat. Mater. 6 985

    [5]

    Xu W, Szulczewski G J, LeClair P, Navarrete I, Schad R, Miao G, Guo H, Gupta A 2007 Appl. Phys. Lett. 90 072506

    [6]

    Naber W J M, Faez S, van der Wiel W G 2007 J. Phys. D: Appl. Phys. 40 R205

    [7]

    Wang L X, Liu D S, Zhang D C, Xie S J, Han S H, Mei L M 2005 Chin. Phys. 14 0186

    [8]

    Liu X J, Gao K, Li Y, Wei J H, Xie S J 2007 Chin. Phys. 16 2091

    [9]

    Lei Y L, Liu R, Zhang Y, Tan X W, Xiong Z H 2009 Acta Phys.Sin. 58 1269(in Chinese)[雷衍连、刘 荣、张 勇、谭兴文、熊祖洪 2009 物理学报 58 1269]

    [10]

    Li F, Xin L Y, Ma Y G, Shen J C, Liu S Y 2008 Chin. Sci. Bull. 53 2865 (in Chinese) [李 峰、辛林远、马於光、沈家骢、刘式墉 2008 科学通报 53 2865]

    [11]

    Wu Y, Hu B, Howe J, Li A P, Shen J 2007 Phys. Rev. B 75 035213

    [12]

    Kalinowski J, Cocchi M, Virgili D, Fattori V, Di Macro P 2004 Phys. Rev. B 70 205303

    [13]

    Wilkinson J, Davis A H, Bussmann K, Long J P 2005 Appl. Phys. Lett. 86 111109

    [14]

    Kalinowski J, Cocchi M, Virgili D, Marco P D, Fattori V 2003 Chem.Phys. Lett. 380 710

    [15]

    Odaka H,Okimoto Y,Yamada T, Okamoto H, Kawasaki M, Tokura Y 2006 Appl.Phys. Lett. 88 123501

    [16]

    Mermer , Veeraraghavan G, Francis T L, Wohlgenannt M 2005 Solid.State. Commun.134 631

    [17]

    Francis T L, Mermer ,Veeraraghavan G,Wohlgenannt M 2004 New J.Phys. 185 1

    [18]

    Desai P, Shakya P, Kreouzis T, Gillin W P, Morley N A, Gibbs M R J 2007 Phys. Rev. B 75 094423

    [19]

    Desai P, Shakya P, Kreouzis T, Gillin W P 2007 J.Appl.Lett.102 073710

    [20]

    Shakya P, Desai P, Somerton M, Gannaway G, Kreouzis T, Gillin W P 2008 J. Appl. Phys. 103 3715

    [21]

    Wang Z, He Z H, Tang X W, Tao M L, Li G Q 2007 Acta Phys.Sin. 56 2979(in Chinese)[王 振、何正红、谭兴文、陶敏龙、李国庆、熊祖洪 2007物理学报56 2979]

    [22]

    Liu R, Zhang Y, Lei Y L, Chen P, Xiong Z H 2009 J.Appl.Lett. 105 093719

    [23]

    Huang J S,Yang K X,Xie Z Y,Chen B J, Jiang H J, Liu S Y 1998 Appl.Phys.Lett. 73 3348

    [24]

    Huang J S, Yang K X, Liu S Y 2000 Appl. Phys Lett. 77 1750

    [25]

    Liu R, Lei Y L, Zhang Y, Wang Z, Xiong Z H 2009 Sci. China Ser. G 39 662(in Chinese) [刘 荣、雷衍连、张 勇、王 振、熊祖洪 2009 中国科学 G辑 39 662]

    [26]

    Ern V, Merrifield R E 1968 Phys. Rev. Lett. 22 593

    [27]

    Li L,Yu J S, Li W Z, Lin H,Li Q, Jiang Y D 2007 Materials Review. 21 121(in Chinese) [李 璐、于军胜、黎威志、林 慧、李 青、蒋亚东 2007 材料导报 21 121]

    [28]

    Hu B, Yan L, Shao M 2009 Adv.Mater. 21 1500

    [29]

    Chen P, Lei Y L, Song Q L, Zhang Y, Liu R,Zhang Q M, Xiong Z H 2009 Appl.Phys.Lett. 95 213304

  • [1]

    Xiong Z H, Wu D, Vardeny Z V, Shi J 2004 Nature 427 821

    [2]

    Nguyen T D, Rybicki J, Sheng Y, Wohlgenannt M 2008 Phys. Rev. B 77 235209

    [3]

    Wolf S A, Awschalom D D, Buhrman R A, Daughton J M, von Molnár S, Roukes M L, Chtchelkanova A Y, Treger D M 2001 Science 294 1488

    [4]

    Hu B, Wu Y 2007 Nat. Mater. 6 985

    [5]

    Xu W, Szulczewski G J, LeClair P, Navarrete I, Schad R, Miao G, Guo H, Gupta A 2007 Appl. Phys. Lett. 90 072506

    [6]

    Naber W J M, Faez S, van der Wiel W G 2007 J. Phys. D: Appl. Phys. 40 R205

    [7]

    Wang L X, Liu D S, Zhang D C, Xie S J, Han S H, Mei L M 2005 Chin. Phys. 14 0186

    [8]

    Liu X J, Gao K, Li Y, Wei J H, Xie S J 2007 Chin. Phys. 16 2091

    [9]

    Lei Y L, Liu R, Zhang Y, Tan X W, Xiong Z H 2009 Acta Phys.Sin. 58 1269(in Chinese)[雷衍连、刘 荣、张 勇、谭兴文、熊祖洪 2009 物理学报 58 1269]

    [10]

    Li F, Xin L Y, Ma Y G, Shen J C, Liu S Y 2008 Chin. Sci. Bull. 53 2865 (in Chinese) [李 峰、辛林远、马於光、沈家骢、刘式墉 2008 科学通报 53 2865]

    [11]

    Wu Y, Hu B, Howe J, Li A P, Shen J 2007 Phys. Rev. B 75 035213

    [12]

    Kalinowski J, Cocchi M, Virgili D, Fattori V, Di Macro P 2004 Phys. Rev. B 70 205303

    [13]

    Wilkinson J, Davis A H, Bussmann K, Long J P 2005 Appl. Phys. Lett. 86 111109

    [14]

    Kalinowski J, Cocchi M, Virgili D, Marco P D, Fattori V 2003 Chem.Phys. Lett. 380 710

    [15]

    Odaka H,Okimoto Y,Yamada T, Okamoto H, Kawasaki M, Tokura Y 2006 Appl.Phys. Lett. 88 123501

    [16]

    Mermer , Veeraraghavan G, Francis T L, Wohlgenannt M 2005 Solid.State. Commun.134 631

    [17]

    Francis T L, Mermer ,Veeraraghavan G,Wohlgenannt M 2004 New J.Phys. 185 1

    [18]

    Desai P, Shakya P, Kreouzis T, Gillin W P, Morley N A, Gibbs M R J 2007 Phys. Rev. B 75 094423

    [19]

    Desai P, Shakya P, Kreouzis T, Gillin W P 2007 J.Appl.Lett.102 073710

    [20]

    Shakya P, Desai P, Somerton M, Gannaway G, Kreouzis T, Gillin W P 2008 J. Appl. Phys. 103 3715

    [21]

    Wang Z, He Z H, Tang X W, Tao M L, Li G Q 2007 Acta Phys.Sin. 56 2979(in Chinese)[王 振、何正红、谭兴文、陶敏龙、李国庆、熊祖洪 2007物理学报56 2979]

    [22]

    Liu R, Zhang Y, Lei Y L, Chen P, Xiong Z H 2009 J.Appl.Lett. 105 093719

    [23]

    Huang J S,Yang K X,Xie Z Y,Chen B J, Jiang H J, Liu S Y 1998 Appl.Phys.Lett. 73 3348

    [24]

    Huang J S, Yang K X, Liu S Y 2000 Appl. Phys Lett. 77 1750

    [25]

    Liu R, Lei Y L, Zhang Y, Wang Z, Xiong Z H 2009 Sci. China Ser. G 39 662(in Chinese) [刘 荣、雷衍连、张 勇、王 振、熊祖洪 2009 中国科学 G辑 39 662]

    [26]

    Ern V, Merrifield R E 1968 Phys. Rev. Lett. 22 593

    [27]

    Li L,Yu J S, Li W Z, Lin H,Li Q, Jiang Y D 2007 Materials Review. 21 121(in Chinese) [李 璐、于军胜、黎威志、林 慧、李 青、蒋亚东 2007 材料导报 21 121]

    [28]

    Hu B, Yan L, Shao M 2009 Adv.Mater. 21 1500

    [29]

    Chen P, Lei Y L, Song Q L, Zhang Y, Liu R,Zhang Q M, Xiong Z H 2009 Appl.Phys.Lett. 95 213304

  • [1] 杨双波. 温度与外磁场对Si均匀掺杂的GaAs量子阱电子态结构的影响. 物理学报, 2014, 63(5): 057301. doi: 10.7498/aps.63.057301
    [2] 何家琪, 何大伟, 王永生, 刘智勇. 共轭聚合物中掺杂可溶性石墨烯对于OLED和OPV性能的影响. 物理学报, 2013, 62(17): 178801. doi: 10.7498/aps.62.178801
    [3] 高 峰, 王 艳, 游开明, 姚凌江. 磁场对四端量子波导中电子输运性质的影响. 物理学报, 2006, 55(6): 2966-2971. doi: 10.7498/aps.55.2966
    [4] 唐黎明, 王玲玲, 王 宁, 严 敏. 磁场下非对称T型量子波导的电子输运行为. 物理学报, 2008, 57(5): 3203-3211. doi: 10.7498/aps.57.3203
    [5] 张雯. 磁场微重力效应的研究. 物理学报, 2009, 58(4): 2405-2409. doi: 10.7498/aps.58.2405
    [6] 陈贵宾, 陆卫, 缪中林, 李志锋, 蔡炜颖, 沈学础, 陈昌明, 朱德彰, 胡钧, 李明乾. 离子注入诱导量子阱界面混合效应的光致荧光谱研究. 物理学报, 2002, 51(3): 659-662. doi: 10.7498/aps.51.659
    [7] 屈媛, 班士良. 纤锌矿氮化物量子阱中光学声子模的三元混晶效应. 物理学报, 2010, 59(7): 4863-4873. doi: 10.7498/aps.59.4863
    [8] 李立, 刘红侠, 杨兆年. 量子阱Si/SiGe/Sip型场效应管阈值电压和沟道空穴面密度模型. 物理学报, 2012, 61(16): 166101. doi: 10.7498/aps.61.166101
    [9] 张红, 张春元, 张慧亮, 刘建军. 外加磁场下抛物型量子线中的带电激子. 物理学报, 2011, 60(7): 077301. doi: 10.7498/aps.60.077301
    [10] 李玉现, 刘建军, 李伯臧. 量子点接触中的电导与热功率:磁场与温度的影响. 物理学报, 2005, 54(3): 1366-1369. doi: 10.7498/aps.54.1366
    [11] 沈曼, 张亮, 刘建军. 磁场和量子点尺寸对激子性质的影响. 物理学报, 2012, 61(21): 217103. doi: 10.7498/aps.61.217103
    [12] 额尔敦朝鲁. 温度和极化子效应对准二维强耦合激子基态的影响. 物理学报, 2008, 57(1): 416-424. doi: 10.7498/aps.57.416
    [13] 丁美斌, 娄朝刚, 王琦龙, 孙强. GaAs量子阱太阳能电池量子效率的研究. 物理学报, 2014, 63(19): 198502. doi: 10.7498/aps.63.198502
    [14] 申 晔, 邢怀中, 俞建国, 吕 斌, 茅惠兵, 王基庆. 极化诱导的内建电场对Mn δ掺杂的GaN/AlGaN量子阱居里温度的调制. 物理学报, 2007, 56(6): 3453-3457. doi: 10.7498/aps.56.3453
    [15] 张运炎, 范广涵. 量子阱数量变化对双波长LED作用的研究. 物理学报, 2011, 60(7): 078504. doi: 10.7498/aps.60.078504
    [16] 苏安, 高英俊. 双重势垒一维光子晶体量子阱的光传输特性研究. 物理学报, 2012, 61(23): 234208. doi: 10.7498/aps.61.234208
    [17] 陈爱喜, 陈渊, 邓黎, 邝耘丰. 非对称半导体量子阱中自发辐射相干诱导透明. 物理学报, 2012, 61(21): 214204. doi: 10.7498/aps.61.214204
    [18] 王海霞, 殷 雯. 周期耦合量子阱中的输运问题. 物理学报, 2008, 57(5): 2669-2673. doi: 10.7498/aps.57.2669
    [19] 黄维清, 陈克求, 帅志刚, 王玲玲, 胡望宇. 磁耦合效应对半无限超晶格中表面电子态的影响. 物理学报, 2004, 53(7): 2330-2335. doi: 10.7498/aps.53.2330
    [20] 郑莹莹, 邓海涛, 万静, 李超荣. 有机-无机杂化钙钛矿自组装量子阱结构的能带调控和光电性能的研究. 物理学报, 2011, 60(6): 067306. doi: 10.7498/aps.60.067306
  • 引用本文:
    Citation:
计量
  • 文章访问数:  3957
  • PDF下载量:  883
  • 被引次数: 0
出版历程
  • 收稿日期:  2009-10-16
  • 修回日期:  2010-01-07
  • 刊出日期:  2010-09-15

双量子阱结构OLED效率和电流的磁效应

  • 1. 吉林师范大学信息技术学院,四平 136000
    基金项目: 

    国家青年基金项目(批准号:10804036),吉林省科技发展计划项目(批准号:20080528,20082112),吉林省教育厅科研计划项目 (批准号:[2007]154,[2008]155),四平科技局计划项目(批准号:四科合字第2005007号,四科合字第2006008号)资助的课题.

摘要: 通过结构为ITO/NPB(60 nm)/ Alq3 ∶1 wt% rubrene(20 nm)/ Alq3(3 nm)/ Alq3 ∶1 wt% rubrene(20 nm)/ Alq3(20 nm)/LiF/Al的双量子阱的黄色有机电致发光器件,研究了不同磁场强度下的发光效率和电流变化特性. 研究结果表明该器件的电流是随着磁场强度的增加而单调下降的,显示了器件的电阻是随着磁场强度的增加而增加的. 同时也得到了该结构有

English Abstract

参考文献 (29)

目录

    /

    返回文章
    返回