双量子阱结构OLED效率和电流的磁效应

姜文龙; 孟昭晖; 丛林; 汪津; 王立忠; 韩强; 孟凡超; 高永慧

doi:10.7498/aps.59.6642

摘要

通过结构为ITO/NPB(60 nm)/ Alq3 ∶1 wt% rubrene(20 nm)/ Alq3(3 nm)/ Alq3 ∶1 wt% rubrene(20 nm)/ Alq3(20 nm)/LiF/Al的双量子阱的黄色有机电致发光器件,研究了不同磁场强度下的发光效率和电流变化特性. 研究结果表明该器件的电流是随着磁场强度的增加而单调下降的,显示了器件的电阻是随着磁场强度的增加而增加的. 同时也得到了该结构有

关键词:

量子阱 /
磁场 /
OLED /
磁效应

Abstract

The organic light emitting diodes with the structure of ITO/NPB(60 nm)/ Alq3 ∶Rubrene(1wt%,20 nm)/Alq3(3 nm)/Alq3:Rubrene(1wt%,20 nm)/ Alq3(20 nm)/LiF/Al, which have multiple quantum well structures (MQW), were fabricated and the magnetic field effects on the efficiency and current of the OLEDs were measured. The experiment showed that the current decreased monotoniocally, i.e. the resistance of the device increased under the magnetic field. At the same time, the magnetic field effect on efficiency was achieved. The changing ratio of efficiency increased 9.13% maximally when the magnetic field was below 20 mT. The changing ratio of efficiency decreased with the magnetic field increasing when the magnetic field was higher than 20 mT.

Keywords:

作者及机构信息

1.
吉林师范大学信息技术学院,四平 136000

基金项目: 国家青年基金项目(批准号:10804036),吉林省科技发展计划项目(批准号:20080528,20082112),吉林省教育厅科研计划项目 (批准号:[2007]154,[2008]155),四平科技局计划项目(批准号:四科合字第2005007号,四科合字第2006008号)资助的课题.

Authors and contacts

1.
College of Information and Technology, Jilin Normal University, Siping 136000, China

参考文献

[1]	Xiong Z H, Wu D, Vardeny Z V, Shi J 2004 Nature 427 821
[2]	Nguyen T D, Rybicki J, Sheng Y, Wohlgenannt M 2008 Phys. Rev. B 77 235209
[3]	Wolf S A, Awschalom D D, Buhrman R A, Daughton J M, von Molnár S, Roukes M L, Chtchelkanova A Y, Treger D M 2001 Science 294 1488
[4]	Hu B, Wu Y 2007 Nat. Mater. 6 985
[5]	Xu W, Szulczewski G J, LeClair P, Navarrete I, Schad R, Miao G, Guo H, Gupta A 2007 Appl. Phys. Lett. 90 072506
[6]	Naber W J M, Faez S, van der Wiel W G 2007 J. Phys. D: Appl. Phys. 40 R205
[7]	Wang L X, Liu D S, Zhang D C, Xie S J, Han S H, Mei L M 2005 Chin. Phys. 14 0186
[8]	Liu X J, Gao K, Li Y, Wei J H, Xie S J 2007 Chin. Phys. 16 2091
[9]	Lei Y L, Liu R, Zhang Y, Tan X W, Xiong Z H 2009 Acta Phys.Sin. 58 1269(in Chinese)[雷衍连、刘荣、张勇、谭兴文、熊祖洪 2009 物理学报 58 1269]
[10]	Li F, Xin L Y, Ma Y G, Shen J C, Liu S Y 2008 Chin. Sci. Bull. 53 2865 (in Chinese) [李峰、辛林远、马於光、沈家骢、刘式墉 2008 科学通报 53 2865]
[11]	Wu Y, Hu B, Howe J, Li A P, Shen J 2007 Phys. Rev. B 75 035213
[12]	Kalinowski J, Cocchi M, Virgili D, Fattori V, Di Macro P 2004 Phys. Rev. B 70 205303
[13]	Wilkinson J, Davis A H, Bussmann K, Long J P 2005 Appl. Phys. Lett. 86 111109
[14]	Kalinowski J, Cocchi M, Virgili D, Marco P D, Fattori V 2003 Chem.Phys. Lett. 380 710
[15]	Odaka H,Okimoto Y,Yamada T, Okamoto H, Kawasaki M, Tokura Y 2006 Appl.Phys. Lett. 88 123501
[16]	Mermer , Veeraraghavan G, Francis T L, Wohlgenannt M 2005 Solid.State. Commun.134 631
[17]	Francis T L, Mermer ,Veeraraghavan G,Wohlgenannt M 2004 New J.Phys. 185 1
[18]	Desai P, Shakya P, Kreouzis T, Gillin W P, Morley N A, Gibbs M R J 2007 Phys. Rev. B 75 094423
[19]	Desai P, Shakya P, Kreouzis T, Gillin W P 2007 J.Appl.Lett.102 073710
[20]	Shakya P, Desai P, Somerton M, Gannaway G, Kreouzis T, Gillin W P 2008 J. Appl. Phys. 103 3715
[21]	Wang Z, He Z H, Tang X W, Tao M L, Li G Q 2007 Acta Phys.Sin. 56 2979(in Chinese)[王振、何正红、谭兴文、陶敏龙、李国庆、熊祖洪 2007物理学报56 2979]
[22]	Liu R, Zhang Y, Lei Y L, Chen P, Xiong Z H 2009 J.Appl.Lett. 105 093719
[23]	Huang J S,Yang K X,Xie Z Y,Chen B J, Jiang H J, Liu S Y 1998 Appl.Phys.Lett. 73 3348
[24]	Huang J S, Yang K X, Liu S Y 2000 Appl. Phys Lett. 77 1750
[25]	Liu R, Lei Y L, Zhang Y, Wang Z, Xiong Z H 2009 Sci. China Ser. G 39 662(in Chinese) [刘荣、雷衍连、张勇、王振、熊祖洪 2009 中国科学 G辑 39 662]
[26]	Ern V, Merrifield R E 1968 Phys. Rev. Lett. 22 593
[27]	Li L,Yu J S, Li W Z, Lin H,Li Q, Jiang Y D 2007 Materials Review. 21 121(in Chinese) [李璐、于军胜、黎威志、林慧、李青、蒋亚东 2007 材料导报 21 121]
[28]	Hu B, Yan L, Shao M 2009 Adv.Mater. 21 1500
[29]	Chen P, Lei Y L, Song Q L, Zhang Y, Liu R,Zhang Q M, Xiong Z H 2009 Appl.Phys.Lett. 95 213304

施引文献

[1]	Xiong Z H, Wu D, Vardeny Z V, Shi J 2004 Nature 427 821
[2]	Nguyen T D, Rybicki J, Sheng Y, Wohlgenannt M 2008 Phys. Rev. B 77 235209
[3]	Wolf S A, Awschalom D D, Buhrman R A, Daughton J M, von Molnár S, Roukes M L, Chtchelkanova A Y, Treger D M 2001 Science 294 1488
[4]	Hu B, Wu Y 2007 Nat. Mater. 6 985
[5]	Xu W, Szulczewski G J, LeClair P, Navarrete I, Schad R, Miao G, Guo H, Gupta A 2007 Appl. Phys. Lett. 90 072506
[6]	Naber W J M, Faez S, van der Wiel W G 2007 J. Phys. D: Appl. Phys. 40 R205
[7]	Wang L X, Liu D S, Zhang D C, Xie S J, Han S H, Mei L M 2005 Chin. Phys. 14 0186
[8]	Liu X J, Gao K, Li Y, Wei J H, Xie S J 2007 Chin. Phys. 16 2091
[9]	Lei Y L, Liu R, Zhang Y, Tan X W, Xiong Z H 2009 Acta Phys.Sin. 58 1269(in Chinese)[雷衍连、刘荣、张勇、谭兴文、熊祖洪 2009 物理学报 58 1269]
[10]	Li F, Xin L Y, Ma Y G, Shen J C, Liu S Y 2008 Chin. Sci. Bull. 53 2865 (in Chinese) [李峰、辛林远、马於光、沈家骢、刘式墉 2008 科学通报 53 2865]
[11]	Wu Y, Hu B, Howe J, Li A P, Shen J 2007 Phys. Rev. B 75 035213
[12]	Kalinowski J, Cocchi M, Virgili D, Fattori V, Di Macro P 2004 Phys. Rev. B 70 205303
[13]	Wilkinson J, Davis A H, Bussmann K, Long J P 2005 Appl. Phys. Lett. 86 111109
[14]	Kalinowski J, Cocchi M, Virgili D, Marco P D, Fattori V 2003 Chem.Phys. Lett. 380 710
[15]	Odaka H,Okimoto Y,Yamada T, Okamoto H, Kawasaki M, Tokura Y 2006 Appl.Phys. Lett. 88 123501
[16]	Mermer , Veeraraghavan G, Francis T L, Wohlgenannt M 2005 Solid.State. Commun.134 631
[17]	Francis T L, Mermer ,Veeraraghavan G,Wohlgenannt M 2004 New J.Phys. 185 1
[18]	Desai P, Shakya P, Kreouzis T, Gillin W P, Morley N A, Gibbs M R J 2007 Phys. Rev. B 75 094423
[19]	Desai P, Shakya P, Kreouzis T, Gillin W P 2007 J.Appl.Lett.102 073710
[20]	Shakya P, Desai P, Somerton M, Gannaway G, Kreouzis T, Gillin W P 2008 J. Appl. Phys. 103 3715
[21]	Wang Z, He Z H, Tang X W, Tao M L, Li G Q 2007 Acta Phys.Sin. 56 2979(in Chinese)[王振、何正红、谭兴文、陶敏龙、李国庆、熊祖洪 2007物理学报56 2979]
[22]	Liu R, Zhang Y, Lei Y L, Chen P, Xiong Z H 2009 J.Appl.Lett. 105 093719
[23]	Huang J S,Yang K X,Xie Z Y,Chen B J, Jiang H J, Liu S Y 1998 Appl.Phys.Lett. 73 3348
[24]	Huang J S, Yang K X, Liu S Y 2000 Appl. Phys Lett. 77 1750
[25]	Liu R, Lei Y L, Zhang Y, Wang Z, Xiong Z H 2009 Sci. China Ser. G 39 662(in Chinese) [刘荣、雷衍连、张勇、王振、熊祖洪 2009 中国科学 G辑 39 662]
[26]	Ern V, Merrifield R E 1968 Phys. Rev. Lett. 22 593
[27]	Li L,Yu J S, Li W Z, Lin H,Li Q, Jiang Y D 2007 Materials Review. 21 121(in Chinese) [李璐、于军胜、黎威志、林慧、李青、蒋亚东 2007 材料导报 21 121]
[28]	Hu B, Yan L, Shao M 2009 Adv.Mater. 21 1500
[29]	Chen P, Lei Y L, Song Q L, Zhang Y, Liu R,Zhang Q M, Xiong Z H 2009 Appl.Phys.Lett. 95 213304

[1]	赵新丽, 马国亮, 马余刚. 中高能重离子碰撞中的电磁场效应和手征反常现象. 物理学报, 2023, 72(11): 112502. doi: 10.7498/aps.72.20230245
[2]	张金峰, 阿拉帕提·阿不力米提, 杨帆, 艾克拜尔·阿木提江, 唐诗生, 艾合买提·阿不力孜. 不同外加磁场中Kaplan-Shekhtman-Entin-Wohlman-Aharony相互作用对量子失协非马尔科夫演化的影响. 物理学报, 2021, 70(22): 223401. doi: 10.7498/aps.70.20211277
[3]	丁美斌, 娄朝刚, 王琦龙, 孙强. GaAs量子阱太阳能电池量子效率的研究. 物理学报, 2014, 63(19): 198502. doi: 10.7498/aps.63.198502
[4]	杨双波. 温度与外磁场对Si均匀掺杂的GaAs量子阱电子态结构的影响. 物理学报, 2014, 63(5): 057301. doi: 10.7498/aps.63.057301
[5]	何家琪, 何大伟, 王永生, 刘智勇. 共轭聚合物中掺杂可溶性石墨烯对于OLED和OPV性能的影响. 物理学报, 2013, 62(17): 178801. doi: 10.7498/aps.62.178801
[6]	苏安, 高英俊. 双重势垒一维光子晶体量子阱的光传输特性研究. 物理学报, 2012, 61(23): 234208. doi: 10.7498/aps.61.234208
[7]	陈爱喜, 陈渊, 邓黎, 邝耘丰. 非对称半导体量子阱中自发辐射相干诱导透明. 物理学报, 2012, 61(21): 214204. doi: 10.7498/aps.61.214204
[8]	沈曼, 张亮, 刘建军. 磁场和量子点尺寸对激子性质的影响. 物理学报, 2012, 61(21): 217103. doi: 10.7498/aps.61.217103
[9]	李立, 刘红侠, 杨兆年. 量子阱Si/SiGe/Sip型场效应管阈值电压和沟道空穴面密度模型. 物理学报, 2012, 61(16): 166101. doi: 10.7498/aps.61.166101
[10]	张运炎, 范广涵. 量子阱数量变化对双波长LED作用的研究. 物理学报, 2011, 60(7): 078504. doi: 10.7498/aps.60.078504
[11]	张红, 张春元, 张慧亮, 刘建军. 外加磁场下抛物型量子线中的带电激子. 物理学报, 2011, 60(7): 077301. doi: 10.7498/aps.60.077301
[12]	屈媛, 班士良. 纤锌矿氮化物量子阱中光学声子模的三元混晶效应. 物理学报, 2010, 59(7): 4863-4873. doi: 10.7498/aps.59.4863
[13]	张雯. 磁场微重力效应的研究. 物理学报, 2009, 58(4): 2405-2409. doi: 10.7498/aps.58.2405
[14]	王海霞, 殷雯. 周期耦合量子阱中的输运问题. 物理学报, 2008, 57(5): 2669-2673. doi: 10.7498/aps.57.2669
[15]	额尔敦朝鲁. 温度和极化子效应对准二维强耦合激子基态的影响. 物理学报, 2008, 57(1): 416-424. doi: 10.7498/aps.57.416
[16]	唐黎明, 王玲玲, 王宁, 严敏. 磁场下非对称T型量子波导的电子输运行为. 物理学报, 2008, 57(5): 3203-3211. doi: 10.7498/aps.57.3203
[17]	申晔, 邢怀中, 俞建国, 吕斌, 茅惠兵, 王基庆. 极化诱导的内建电场对Mn δ掺杂的GaN/AlGaN量子阱居里温度的调制. 物理学报, 2007, 56(6): 3453-3457. doi: 10.7498/aps.56.3453
[18]	高峰, 王艳, 游开明, 姚凌江. 磁场对四端量子波导中电子输运性质的影响. 物理学报, 2006, 55(6): 2966-2971. doi: 10.7498/aps.55.2966
[19]	李玉现, 刘建军, 李伯臧. 量子点接触中的电导与热功率：磁场与温度的影响. 物理学报, 2005, 54(3): 1366-1369. doi: 10.7498/aps.54.1366
[20]	陈贵宾, 陆卫, 缪中林, 李志锋, 蔡炜颖, 沈学础, 陈昌明, 朱德彰, 胡钧, 李明乾. 离子注入诱导量子阱界面混合效应的光致荧光谱研究. 物理学报, 2002, 51(3): 659-662. doi: 10.7498/aps.51.659

计量

文章访问数: 9869
PDF下载量: 920
被引次数: 0

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

搜索

留言板