双量子阱结构OLED效率和电流的磁效应

姜文龙; 孟昭晖; 丛林; 汪津; 王立忠; 韩强; 孟凡超; 高永慧

doi:10.7498/aps.59.6642

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通过结构为ITO/NPB(60 nm)/ Alq3 ∶1 wt% rubrene(20 nm)/ Alq3(3 nm)/ Alq3 ∶1 wt% rubrene(20 nm)/ Alq3(20 nm)/LiF/Al的双量子阱的黄色有机电致发光器件,研究了不同磁场强度下的发光效率和电流变化特性. 研究结果表明该器件的电流是随着磁场强度的增加而单调下降的,显示了器件的电阻是随着磁场强度的增加而增加的. 同时也得到了该结构有

关键词:

量子阱 /
磁场 /
OLED /
磁效应

作者及机构信息

1.
吉林师范大学信息技术学院,四平 136000

基金项目: 国家青年基金项目(批准号:10804036),吉林省科技发展计划项目(批准号:20080528,20082112),吉林省教育厅科研计划项目 (批准号:[2007]154,[2008]155),四平科技局计划项目(批准号:四科合字第2005007号,四科合字第2006008号)资助的课题.

参考文献

[1]	Xiong Z H, Wu D, Vardeny Z V, Shi J 2004 Nature 427 821
[2]	Nguyen T D, Rybicki J, Sheng Y, Wohlgenannt M 2008 Phys. Rev. B 77 235209
[3]	Wolf S A, Awschalom D D, Buhrman R A, Daughton J M, von Molnár S, Roukes M L, Chtchelkanova A Y, Treger D M 2001 Science 294 1488
[4]	Hu B, Wu Y 2007 Nat. Mater. 6 985
[5]	Xu W, Szulczewski G J, LeClair P, Navarrete I, Schad R, Miao G, Guo H, Gupta A 2007 Appl. Phys. Lett. 90 072506
[6]	Naber W J M, Faez S, van der Wiel W G 2007 J. Phys. D: Appl. Phys. 40 R205
[7]	Wang L X, Liu D S, Zhang D C, Xie S J, Han S H, Mei L M 2005 Chin. Phys. 14 0186
[8]	Liu X J, Gao K, Li Y, Wei J H, Xie S J 2007 Chin. Phys. 16 2091
[9]	Lei Y L, Liu R, Zhang Y, Tan X W, Xiong Z H 2009 Acta Phys.Sin. 58 1269(in Chinese)[雷衍连、刘荣、张勇、谭兴文、熊祖洪 2009 物理学报 58 1269]
[10]	Li F, Xin L Y, Ma Y G, Shen J C, Liu S Y 2008 Chin. Sci. Bull. 53 2865 (in Chinese) [李峰、辛林远、马於光、沈家骢、刘式墉 2008 科学通报 53 2865]
[11]	Wu Y, Hu B, Howe J, Li A P, Shen J 2007 Phys. Rev. B 75 035213
[12]	Kalinowski J, Cocchi M, Virgili D, Fattori V, Di Macro P 2004 Phys. Rev. B 70 205303
[13]	Wilkinson J, Davis A H, Bussmann K, Long J P 2005 Appl. Phys. Lett. 86 111109
[14]	Kalinowski J, Cocchi M, Virgili D, Marco P D, Fattori V 2003 Chem.Phys. Lett. 380 710
[15]	Odaka H,Okimoto Y,Yamada T, Okamoto H, Kawasaki M, Tokura Y 2006 Appl.Phys. Lett. 88 123501
[16]	Mermer , Veeraraghavan G, Francis T L, Wohlgenannt M 2005 Solid.State. Commun.134 631
[17]	Francis T L, Mermer ,Veeraraghavan G,Wohlgenannt M 2004 New J.Phys. 185 1
[18]	Desai P, Shakya P, Kreouzis T, Gillin W P, Morley N A, Gibbs M R J 2007 Phys. Rev. B 75 094423
[19]	Desai P, Shakya P, Kreouzis T, Gillin W P 2007 J.Appl.Lett.102 073710
[20]	Shakya P, Desai P, Somerton M, Gannaway G, Kreouzis T, Gillin W P 2008 J. Appl. Phys. 103 3715
[21]	Wang Z, He Z H, Tang X W, Tao M L, Li G Q 2007 Acta Phys.Sin. 56 2979(in Chinese)[王振、何正红、谭兴文、陶敏龙、李国庆、熊祖洪 2007物理学报56 2979]
[22]	Liu R, Zhang Y, Lei Y L, Chen P, Xiong Z H 2009 J.Appl.Lett. 105 093719
[23]	Huang J S,Yang K X,Xie Z Y,Chen B J, Jiang H J, Liu S Y 1998 Appl.Phys.Lett. 73 3348
[24]	Huang J S, Yang K X, Liu S Y 2000 Appl. Phys Lett. 77 1750
[25]	Liu R, Lei Y L, Zhang Y, Wang Z, Xiong Z H 2009 Sci. China Ser. G 39 662(in Chinese) [刘荣、雷衍连、张勇、王振、熊祖洪 2009 中国科学 G辑 39 662]
[26]	Ern V, Merrifield R E 1968 Phys. Rev. Lett. 22 593
[27]	Li L,Yu J S, Li W Z, Lin H,Li Q, Jiang Y D 2007 Materials Review. 21 121(in Chinese) [李璐、于军胜、黎威志、林慧、李青、蒋亚东 2007 材料导报 21 121]
[28]	Hu B, Yan L, Shao M 2009 Adv.Mater. 21 1500
[29]	Chen P, Lei Y L, Song Q L, Zhang Y, Liu R,Zhang Q M, Xiong Z H 2009 Appl.Phys.Lett. 95 213304

施引文献

[1]	Xiong Z H, Wu D, Vardeny Z V, Shi J 2004 Nature 427 821
[2]	Nguyen T D, Rybicki J, Sheng Y, Wohlgenannt M 2008 Phys. Rev. B 77 235209
[3]	Wolf S A, Awschalom D D, Buhrman R A, Daughton J M, von Molnár S, Roukes M L, Chtchelkanova A Y, Treger D M 2001 Science 294 1488
[4]	Hu B, Wu Y 2007 Nat. Mater. 6 985
[5]	Xu W, Szulczewski G J, LeClair P, Navarrete I, Schad R, Miao G, Guo H, Gupta A 2007 Appl. Phys. Lett. 90 072506
[6]	Naber W J M, Faez S, van der Wiel W G 2007 J. Phys. D: Appl. Phys. 40 R205
[7]	Wang L X, Liu D S, Zhang D C, Xie S J, Han S H, Mei L M 2005 Chin. Phys. 14 0186
[8]	Liu X J, Gao K, Li Y, Wei J H, Xie S J 2007 Chin. Phys. 16 2091
[9]	Lei Y L, Liu R, Zhang Y, Tan X W, Xiong Z H 2009 Acta Phys.Sin. 58 1269(in Chinese)[雷衍连、刘荣、张勇、谭兴文、熊祖洪 2009 物理学报 58 1269]
[10]	Li F, Xin L Y, Ma Y G, Shen J C, Liu S Y 2008 Chin. Sci. Bull. 53 2865 (in Chinese) [李峰、辛林远、马於光、沈家骢、刘式墉 2008 科学通报 53 2865]
[11]	Wu Y, Hu B, Howe J, Li A P, Shen J 2007 Phys. Rev. B 75 035213
[12]	Kalinowski J, Cocchi M, Virgili D, Fattori V, Di Macro P 2004 Phys. Rev. B 70 205303
[13]	Wilkinson J, Davis A H, Bussmann K, Long J P 2005 Appl. Phys. Lett. 86 111109
[14]	Kalinowski J, Cocchi M, Virgili D, Marco P D, Fattori V 2003 Chem.Phys. Lett. 380 710
[15]	Odaka H,Okimoto Y,Yamada T, Okamoto H, Kawasaki M, Tokura Y 2006 Appl.Phys. Lett. 88 123501
[16]	Mermer , Veeraraghavan G, Francis T L, Wohlgenannt M 2005 Solid.State. Commun.134 631
[17]	Francis T L, Mermer ,Veeraraghavan G,Wohlgenannt M 2004 New J.Phys. 185 1
[18]	Desai P, Shakya P, Kreouzis T, Gillin W P, Morley N A, Gibbs M R J 2007 Phys. Rev. B 75 094423
[19]	Desai P, Shakya P, Kreouzis T, Gillin W P 2007 J.Appl.Lett.102 073710
[20]	Shakya P, Desai P, Somerton M, Gannaway G, Kreouzis T, Gillin W P 2008 J. Appl. Phys. 103 3715
[21]	Wang Z, He Z H, Tang X W, Tao M L, Li G Q 2007 Acta Phys.Sin. 56 2979(in Chinese)[王振、何正红、谭兴文、陶敏龙、李国庆、熊祖洪 2007物理学报56 2979]
[22]	Liu R, Zhang Y, Lei Y L, Chen P, Xiong Z H 2009 J.Appl.Lett. 105 093719
[23]	Huang J S,Yang K X,Xie Z Y,Chen B J, Jiang H J, Liu S Y 1998 Appl.Phys.Lett. 73 3348
[24]	Huang J S, Yang K X, Liu S Y 2000 Appl. Phys Lett. 77 1750
[25]	Liu R, Lei Y L, Zhang Y, Wang Z, Xiong Z H 2009 Sci. China Ser. G 39 662(in Chinese) [刘荣、雷衍连、张勇、王振、熊祖洪 2009 中国科学 G辑 39 662]
[26]	Ern V, Merrifield R E 1968 Phys. Rev. Lett. 22 593
[27]	Li L,Yu J S, Li W Z, Lin H,Li Q, Jiang Y D 2007 Materials Review. 21 121(in Chinese) [李璐、于军胜、黎威志、林慧、李青、蒋亚东 2007 材料导报 21 121]
[28]	Hu B, Yan L, Shao M 2009 Adv.Mater. 21 1500
[29]	Chen P, Lei Y L, Song Q L, Zhang Y, Liu R,Zhang Q M, Xiong Z H 2009 Appl.Phys.Lett. 95 213304

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双量子阱结构OLED效率和电流的磁效应

1. 吉林师范大学信息技术学院,四平 136000

基金项目:

国家青年基金项目(批准号:10804036),吉林省科技发展计划项目(批准号:20080528,20082112),吉林省教育厅科研计划项目 (批准号:[2007]154,[2008]155),四平科技局计划项目(批准号:四科合字第2005007号,四科合字第2006008号)资助的课题.

收稿日期: 2009-10-16

修回日期: 2010-01-07

刊出日期: 2010-09-15

摘要: 通过结构为ITO/NPB(60 nm)/ Alq3 ∶1 wt% rubrene(20 nm)/ Alq3(3 nm)/ Alq3 ∶1 wt% rubrene(20 nm)/ Alq3(20 nm)/LiF/Al的双量子阱的黄色有机电致发光器件,研究了不同磁场强度下的发光效率和电流变化特性. 研究结果表明该器件的电流是随着磁场强度的增加而单调下降的,显示了器件的电阻是随着磁场强度的增加而增加的. 同时也得到了该结构有

关键词:

量子阱 /
磁场 /
OLED /
磁效应

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