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硅的间接跃迁双光子吸收系数谱

崔昊杨 李志锋 马法君 陈效双 陆卫

硅的间接跃迁双光子吸收系数谱

崔昊杨, 李志锋, 马法君, 陈效双, 陆卫
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出版历程
  • 收稿日期:  2009-07-18
  • 修回日期:  2010-04-19
  • 刊出日期:  2010-05-05

硅的间接跃迁双光子吸收系数谱

  • 1. (1)上海电力学院计算机与信息工程学院,上海 200090,中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海 200083; (2)中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海 200083
    基金项目: 

    上海市教育委员会科研创新基金(批准号:10YZ158)和上海高校选拔培养优秀青年教师科研专项基金(批准号:SDl08025)资助的课题.

摘要: 利用皮秒Nd:YAG脉冲激光器作为激发光源,测量出光子能量介于1.36 μm (0.912 eV)—1.80 μm (0.689 eV)之间的硅间接跃迁双光子吸收系数谱.尽管此波段范围内的激光光子能量小于硅间接带隙,但当激光辐照在硅基光电二极管受光面时,在二极管两电极端仍然探测到了显著的脉冲光伏信号.光伏信号峰值强度与入射光强呈二次幂函数关系,表明其是双光子吸收过程.采用pn结等效结电容充放电模型,将光伏响应信号峰值与入射光强相关联,从中提取出硅的间接跃迁双光子吸收系数,改变入射波长得到系数谱.研究表明:

English Abstract

参考文献 (18)

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