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基于等离子体增强化学气相沉积技术的光电子器件多层抗反膜的设计和制作

袁贺 孙长征 徐建明 武庆 熊兵 罗毅

基于等离子体增强化学气相沉积技术的光电子器件多层抗反膜的设计和制作

袁贺, 孙长征, 徐建明, 武庆, 熊兵, 罗毅
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出版历程
  • 收稿日期:  2009-08-26
  • 修回日期:  2010-02-03
  • 刊出日期:  2010-05-05

基于等离子体增强化学气相沉积技术的光电子器件多层抗反膜的设计和制作

  • 1. 清华大学电子工程系,清华信息科学与技术国家实验室,集成光电子学国家重点实验室,北京 100084
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:60536020, 60723002, 50706022, 60977022)和国家重点基础研究发展计划(批准号:2006CB302800, 2006CB921106)资助的课题.

摘要: 针对光电子器件端面抗反镀膜的要求,研究了基于等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术的多层抗反膜的设计和制作.首先,对影响SiNx折射率的因素进行了实验研究,确定了具有大折射率差的SiO2/SiNx材料的PECVD沉积条件.根据理论计算分析,设计了四层SiO2/SiNx抗反膜结构,能够在70 nm的波长范围内实现低于10-4的反射率

English Abstract

参考文献 (11)

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