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激发频率对高氢稀释下纳米晶硅薄膜生长特性的影响

宋捷 郭艳青 王祥 丁宏林 黄锐

激发频率对高氢稀释下纳米晶硅薄膜生长特性的影响

宋捷, 郭艳青, 王祥, 丁宏林, 黄锐
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出版历程
  • 收稿日期:  2009-11-08
  • 修回日期:  2010-01-06
  • 刊出日期:  2010-05-05

激发频率对高氢稀释下纳米晶硅薄膜生长特性的影响

  • 1. 韩山师范学院物理与电子工程系,广东 潮州 521041
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:60806046)和广东省自然科学基金(批准号:8152104101000004)资助的课题.

摘要: 利用等离子体增强化学气相沉积技术,在高氢稀释条件下,研究不同激发频率对纳米晶硅薄膜生长特性的影响.剖面透射电子显微镜(TEM)分析结果显示,不同激发频率下制备的纳米晶硅薄膜晶化区均呈锥状结构生长,但13.56 MHz激发频率下制备的纳米晶硅薄膜最初生长阶段存在非晶态孵化层,即纳米晶硅薄膜的形成经历了由非晶态孵化层到晶态结构层的转变.而高激发频率(40.68 MHz)下硅纳米晶则能直接在非晶态衬底上生长形成.Raman谱和红外吸收谱测量结果表明高激发频率(40.68 MHz)下制备的纳米晶硅薄膜不但具有较高

English Abstract

参考文献 (13)

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