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退火对B掺杂纳米金刚石薄膜微结构和电化学性能的影响

潘金平 胡晓君 陆利平 印迟

退火对B掺杂纳米金刚石薄膜微结构和电化学性能的影响

潘金平, 胡晓君, 陆利平, 印迟
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  • 采用热丝化学气相沉积法制备B掺杂纳米金刚石薄膜,并对薄膜进行真空退火处理,系统研究了不同退火温度对B掺杂纳米金刚石薄膜的微结构和电化学性能的影响.结果表明,当退火温度升高到800 ℃后,薄膜的Raman谱图中由未退火时在1157,1346,1470,1555 cm-1处的4个峰转变为只有D峰和G峰,说明晶界上的氢大量解吸附量减少,并且D峰和G峰的积分强度比ID/IG值变为最小,即sp2相团簇
    • 基金项目: 国家自然科学基金(批准号:50602039, 50972129)和浙江省"钱江人才"计划(批准号:2010R10026)资助的课题.
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出版历程
  • 收稿日期:  2009-11-03
  • 修回日期:  2010-01-11
  • 刊出日期:  2010-10-15

退火对B掺杂纳米金刚石薄膜微结构和电化学性能的影响

  • 1. 浙江工业大学化学工程与材料学院,杭州 310014
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:50602039, 50972129)和浙江省"钱江人才"计划(批准号:2010R10026)资助的课题.

摘要: 采用热丝化学气相沉积法制备B掺杂纳米金刚石薄膜,并对薄膜进行真空退火处理,系统研究了不同退火温度对B掺杂纳米金刚石薄膜的微结构和电化学性能的影响.结果表明,当退火温度升高到800 ℃后,薄膜的Raman谱图中由未退火时在1157,1346,1470,1555 cm-1处的4个峰转变为只有D峰和G峰,说明晶界上的氢大量解吸附量减少,并且D峰和G峰的积分强度比ID/IG值变为最小,即sp2相团簇

English Abstract

参考文献 (27)

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