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高k栅介质应变Si SOI MOSFET的阈值电压解析模型

李劲 刘红侠 李斌 曹磊 袁博

高k栅介质应变Si SOI MOSFET的阈值电压解析模型

李劲, 刘红侠, 李斌, 曹磊, 袁博
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出版历程
  • 收稿日期:  2009-10-27
  • 修回日期:  2010-02-06
  • 刊出日期:  2010-11-15

高k栅介质应变Si SOI MOSFET的阈值电压解析模型

  • 1. 西安电子科技大学微电子学院,宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安 710071
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号: 60976068,60936055),教育部科技创新工程重大项目培育基金(批准号: 708083),教育部博士点基金(批准号: 200807010010)资助的课题.

摘要: 在结合应变Si,高k栅和SOI结构三者的优点的基础上,提出了一种新型的高k栅介质应变Si全耗尽SOI MOSFET结构.通过求解二维泊松方程建立了该新结构的二维阈值电压模型,在该模型中考虑了影响阈值电压的主要参数.分析了阈值电压与弛豫层中的Ge组分、应变Si层厚度的关系.研究结果表明阈值电压随弛豫层中Ge组分的提高和应变Si层的厚度增加而降低.此外,还分析了阈值电压与高k栅介质的介电常数和应变Si层的掺杂浓度的关系.研究结果表明阈值电压随高k介质的介

English Abstract

参考文献 (14)

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