搜索

x

留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

退火对非故意掺杂4H-SiC外延材料386 nm和388 nm发射峰的影响

程萍 张玉明 张义门

退火对非故意掺杂4H-SiC外延材料386 nm和388 nm发射峰的影响

程萍, 张玉明, 张义门
PDF
导出引用
导出核心图
计量
  • 文章访问数:  3621
  • PDF下载量:  634
  • 被引次数: 0
出版历程
  • 收稿日期:  2010-01-27
  • 修回日期:  2010-04-28
  • 刊出日期:  2011-01-15

退火对非故意掺杂4H-SiC外延材料386 nm和388 nm发射峰的影响

  • 1. 西安电子科技大学微电子学院,宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安 710071
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号: 60876061),预研基金(批准号: 9140A08050508)和陕西省13115创新工程(批准号: 2008ZDKG-30)资助的课题.

摘要: 10 K条件下,采用光致发光(PL)技术研究了不同退火处理后非故意掺杂4H-SiC外延材料的低温PL特性.结果发现,在370—400 nm范围内出现了三个发射峰,能量较高的峰约为3.26 eV,与4H-SiC材料的室温禁带宽度相当.波长约为386 nm和388 nm的两个发射峰分别位于~3.21 eV和~3.19 eV,与材料中的N杂质有关.当退火时间为30 min时,随退火温度的升高,386 nm和388 nm两个发射峰的PL强度先增加后减小,且退火温度为1573 K时,两个发射峰的PL强度均达到最大.

English Abstract

参考文献 (16)

目录

    /

    返回文章
    返回