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脉冲激光沉积纳米硅晶粒流体模型的推广

傅广生 丁学成 郭瑞强 翟小林 褚立志 邓泽超 梁伟华 王英龙

脉冲激光沉积纳米硅晶粒流体模型的推广

傅广生, 丁学成, 郭瑞强, 翟小林, 褚立志, 邓泽超, 梁伟华, 王英龙
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出版历程
  • 收稿日期:  2010-01-28
  • 修回日期:  2010-04-23
  • 刊出日期:  2011-01-15

脉冲激光沉积纳米硅晶粒流体模型的推广

  • 1. 河北大学物理科学与技术学院,保定 071002
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号: 10774036), 河北省自然科学基金(批准号: E2008000631), 河北省教育厅(批准号: Z2007222), 河北省光电材料重点实验室和河北大学自然科学基金资助的课题.

摘要: Yoshida等人提出的惯性流体模型只能解释脉冲激光烧蚀制备纳米硅晶粒平均尺寸随环境气压的变化规律.在此模型基础上,考虑到烧蚀粒子的初始速度分布(Maxwell分布),得到了纳米硅晶粒尺寸分布的解析表达式,数值模拟结果与Yoshida等人在不同环境氦气压下制备样品的晶粒尺寸分布的实验统计数据基本相符.还利用修正后的模型对不同环境气体种类(氦、氖、氩)中制备的纳米Si晶粒尺寸分布进行了模拟,模拟结果与实验数据相符.结论可为实现纳米硅晶粒尺寸的均匀可控提供理论依据.

English Abstract

参考文献 (17)

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