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超薄GaMnAs外延膜空穴浓度和应变弛豫研究

苏平 龚敏 马瑶 高博 石瑞英 陈昶 史同飞 曹先存 孟祥豪 罗代升

超薄GaMnAs外延膜空穴浓度和应变弛豫研究

苏平, 龚敏, 马瑶, 高博, 石瑞英, 陈昶, 史同飞, 曹先存, 孟祥豪, 罗代升
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  • 稀磁GaMnAs外延膜中的Mn含量会影响外延膜的空穴浓度和应变弛豫.Raman散射研究表明,Mn含量为3%的超薄GaMnAs样品的空穴浓度大于2%样品,4%样品的空穴浓度小于3%样品.应变弛豫理论和高分辨X射线衍射研究表明,Mn含量为2%和3%的超薄GaMnAs外延层分别处于准共格或低弛豫状态,Mn含量为4%的GaMnAs外延层的弛豫度明显大于3%样品的弛豫度.我们认为,准共格或低弛豫度状态对空穴浓度随Mn含量的变化趋势几乎没有影响,较大弛豫度的应变状态将导致样品外延层产生较多缺陷,影响能带结构和能级,引起空穴浓度异常减小.
    • 基金项目: 国家自然科学基金(批准号:60676052)资助的课题.
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  • 引用本文:
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  • 被引次数: 0
出版历程
  • 收稿日期:  2010-07-15
  • 修回日期:  2010-09-09
  • 刊出日期:  2011-01-05

超薄GaMnAs外延膜空穴浓度和应变弛豫研究

  • 1. (1)成都理工大学油气藏地质及开发工程国家重点实验室,成都 610054; (2)四川大学电子信息学院,成都 610064; (3)四川大学物理科学与技术学院,微电子技术四川省重点实验室,成都 610064; (4)四川大学物理科学与技术学院,微电子技术四川省重点实验室,成都 610064;四川大学电子信息学院,成都 610064; (5)中国科学院固体物理所,合肥 230031
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:60676052)资助的课题.

摘要: 稀磁GaMnAs外延膜中的Mn含量会影响外延膜的空穴浓度和应变弛豫.Raman散射研究表明,Mn含量为3%的超薄GaMnAs样品的空穴浓度大于2%样品,4%样品的空穴浓度小于3%样品.应变弛豫理论和高分辨X射线衍射研究表明,Mn含量为2%和3%的超薄GaMnAs外延层分别处于准共格或低弛豫状态,Mn含量为4%的GaMnAs外延层的弛豫度明显大于3%样品的弛豫度.我们认为,准共格或低弛豫度状态对空穴浓度随Mn含量的变化趋势几乎没有影响,较大弛豫度的应变状态将导致样品外延层产生较多缺陷,影响能带结构和能级,引起空穴浓度异常减小.

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