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双栅调控的硅量子线中的库仑振荡效应

张贤高 方忠慧 陈坤基 钱昕晔 刘广元 徐骏 黄信凡 何飞

双栅调控的硅量子线中的库仑振荡效应

张贤高, 方忠慧, 陈坤基, 钱昕晔, 刘广元, 徐骏, 黄信凡, 何飞
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出版历程
  • 收稿日期:  2010-04-28
  • 修回日期:  2010-05-29
  • 刊出日期:  2011-02-15

双栅调控的硅量子线中的库仑振荡效应

  • 1. (1)南京大学物理系,固体微结构国家实验室,南京 210093; (2)无锡华润华晶微电子有限公司,无锡 214061
    基金项目: 

    国家重点基础研究发展计划(批准号:2006CB932202)和国家自然科学基金(批准号:60571008,60721063)资助的课题.

摘要: 基于单电子隧穿和库仑阻塞效应,研究了硅量子线中的单电子输运特性.利用绝缘体上硅薄膜材料作为衬底构建侧栅结构的硅量子线单电子晶体管,通过背栅和侧栅对量子线的电子输运特性进行调制.实验发现,在硅量子线中分别观察到背栅和侧栅调制的单电子效应和库仑振荡现象.从微分电导的二维灰度轮廓图,清楚地观察到了库仑阻塞区,说明由于栅压导致在硅量子线中形成了库仑岛.

English Abstract

参考文献 (15)

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