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掺杂GaN间隔层对双波长发光二极管光谱调控作用的研究

张运炎 范广涵 章勇 郑树文

掺杂GaN间隔层对双波长发光二极管光谱调控作用的研究

张运炎, 范广涵, 章勇, 郑树文
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出版历程
  • 收稿日期:  2010-03-07
  • 修回日期:  2010-05-18
  • 刊出日期:  2011-02-15

掺杂GaN间隔层对双波长发光二极管光谱调控作用的研究

  • 1. 华南师范大学光电子材料与技术研究所,广州 510631
    基金项目: 

    广东省产学研结合引导项目(批准号:2009B090300338)、粤港关键领域重点突破项目(批准号:2007A010501008)和高等学校博士学科点专项科研基金(批准号: 350163) 资助的课题.

摘要: 采用软件理论分析的方法对p型及n型掺杂的GaN间隔层在InGaN/GaN多量子阱双波长发光二极管中对光谱调控作用进行模拟分析.分析结果表明,掺杂的GaN间隔层的引入,可以有效地控制各阱中的电子或空穴浓度,很好地解决了双波长发光二极管中两种阱发光强度不均的问题,并且通过控制阻挡层的厚度,可以调控两种阱中的载流子浓度,从而调控发光峰的相对强度.这些可以归因于掺杂GaN间隔层对电子或空穴的阻挡作用.

English Abstract

参考文献 (14)

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