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InAs/GaAs和InAs/InxGa1-xAs/GaAs纳米线异质结构的生长研究

叶显 黄辉 任晓敏 郭经纬 黄永清 王琦 张霞

InAs/GaAs和InAs/InxGa1-xAs/GaAs纳米线异质结构的生长研究

叶显, 黄辉, 任晓敏, 郭经纬, 黄永清, 王琦, 张霞
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出版历程
  • 收稿日期:  2010-01-11
  • 修回日期:  2010-10-12
  • 刊出日期:  2011-03-15

InAs/GaAs和InAs/InxGa1-xAs/GaAs纳米线异质结构的生长研究

  • 1. 北京邮电大学,信息光子学与光通信教育部重点实验室,北京 100876
    基金项目: 

    国家重点基础研究发展计划(批准号:2010CB327600),"111"计划项目(批准号:B07005),国家高技术研究发展计划(批准号:2009AA03Z405, 2009AA03Z417),中央高校基本科研业务费专项资金(批准号:BUPT2009RC0409, BUPT2009RC0410)资助的课题.

摘要: 利用金辅助金属有机化学气相沉淀法(MOCVD)在GaAs(111)B衬底上分别制备了InAs/GaAs和InAs/In x Ga1-xAs/GaAs(0≤x≤1)纳米线异质结构.实验结果显示,直接生长在GaAs纳米线上的InAs纳米线生长方向杂乱或者沿着GaAs纳米线侧壁向衬底方向生长,生长的含有In x Ga1-xAs组分渐变缓冲段的InAs/In x Ga1-x

English Abstract

参考文献 (21)

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