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高压下制备的透明低阻n-ZnO陶瓷的表征

秦杰明 张莹 曹建明 田立飞 董中伟 李岳

高压下制备的透明低阻n-ZnO陶瓷的表征

秦杰明, 张莹, 曹建明, 田立飞, 董中伟, 李岳
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  • 本文报道了高压烧结透明低阻ZnO陶瓷的过程,解决了常压下烧结ZnO高阻不透明的问题.在5 GPa,800℃下获得了最佳光电性能的低阻透明ZnO陶瓷,其透过率为49%左右,电阻率为0.57 Ω ·cm,禁带宽度为3.31 eV,载流子浓度为8.36×1017 cm-3,迁移率为23 cm2 ·V-1 ·s-1,良好的n型导电性来自于Zni和Vo
    • 基金项目: 吉林省科技厅项目(批准号:20080510)资助的课题.
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出版历程
  • 收稿日期:  2010-05-29
  • 修回日期:  2010-06-09
  • 刊出日期:  2011-03-15

高压下制备的透明低阻n-ZnO陶瓷的表征

  • 1. 长春理工大学材料科学与工程学院,长春 1300222
    基金项目: 

    吉林省科技厅项目(批准号:20080510)资助的课题.

摘要: 本文报道了高压烧结透明低阻ZnO陶瓷的过程,解决了常压下烧结ZnO高阻不透明的问题.在5 GPa,800℃下获得了最佳光电性能的低阻透明ZnO陶瓷,其透过率为49%左右,电阻率为0.57 Ω ·cm,禁带宽度为3.31 eV,载流子浓度为8.36×1017 cm-3,迁移率为23 cm2 ·V-1 ·s-1,良好的n型导电性来自于Zni和Vo

English Abstract

参考文献 (14)

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