搜索

x

留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

脉冲磁控溅射法制备单斜相氧化铒涂层

李新连 吴平 邱宏 陈森 宋斌斌

脉冲磁控溅射法制备单斜相氧化铒涂层

李新连, 吴平, 邱宏, 陈森, 宋斌斌
PDF
导出引用
导出核心图
  • 用中频脉冲反应磁控溅射法,在溅射功率为78 W,93 W和124 W以及衬底温度分别为室温,500 ℃及677 ℃下制备了氧化铒涂层.采用原子力显微镜、纳米压痕、X射线衍射和掠入射X射线衍射法研究了涂层的形貌、力学性能及物相结构.测量了涂层的电学性能.结果显示,脉冲磁控溅射沉积氧化铒涂层具有较高的沉积速率.实验制备得到了单斜相结构的氧化铒涂层.提高溅射功率时,沉积速率从28 nm/min增大至68 nm/min,涂层的结晶质量显著下降.提高衬底温度至500 ℃和677 ℃时,单斜相衍射峰强度下降.分析认为
    [1]

    Liang J J, Chen W D, Wang Y Q, Chang Y, Wang Z G 2000 Chin. Phys. 9 0783

    [2]

    Miritello M, Lo Savio R, Piro A M, Franzò G, Priolo F, Lacona F, Bongiorno C 2006 J. Appl. Phys. 100 013502

    [3]

    Losurdo M, Giangregorio M M, Bruno G, Yang D X, Irene E A, Suvorova A A, Saunders M 2007 Appl. Phys. Lett. 91 091914

    [4]

    Singh M P, Thakur C S, Shalini K, Bhat N, Shivashankar S A 2003 Appl. Phys. Lett. 83 2889

    [5]

    Wong C P C, Salavy J F, Kim Y, Kirillov I, Rajendra Kumar E, Morley N B, Tanaka S, Wu Y C 2008 Fusion Eng. Des. 83 850

    [6]

    Chen H, Zhou T, Lü R, Yang Z, Wu Z, Xia D 2009 J. Nucl. Mater. 386-388 904

    [7]

    Pint B A, DeVan J H, DiStefano J R 2002 J. Nucl. Mater. 307-311 1344

    [8]

    Levchuk D, Levchuk S, Maier H, Bolt H, Suzuki A 2007 J. Nucl. Mater. 367-370 1033

    [9]

    Chikada T, Suzuki A, Yao Z Y, Sawada A, Terai T, Muroga T 2007 Fusion Eng. Des. 82 2572

    [10]

    Sawada A, Suzuki A, Terai T 2006 Fusion Eng. Des. 81 579

    [11]

    Yao Z Y, Suzuki A, Muroga T, Yeliseyeva O, Nagasaka T 2006 Fusion Eng. Des. 81 951

    [12]

    Adelhelm C, Pickert T, Balden M, Rasinski M, Plocinski T, Ziebert C, Koch F, Maier H 2009 Scripta Mater. 61 789

    [13]

    Tang M, Lu P, Valdez J A, Sickafus K E 2006 J. Appl. Phys. 99 063514

    [14]

    Adachi G Y, Imanaka N 1998 Chem. Rev. 98 1479

    [15]

    Guo Q X, Zhao Y S, Jiang C, Mao W L, Wang Z W, Zhang J Z, Wang Y J 2007 Inorg. Chem. 46 6164

    [16]

    Kelly P J, Henderson P S, Arnell R D, Roche G A, Carter D 2000 J. Vac. Sci. Technol. A 18 2890

    [17]

    Sproul W D 1998 Vacuum 51 641

    [18]

    Ye Z Y, Zhang Q Y 2001 Chin. Phys. 10 0329

    [19]

    Zhang Q Y, Ma T C, Pan Z Y, Tang J Y 2000 Acta Phys. Sin. 49 0297(in Chinese)[张庆瑜、 马腾才、 潘正瑛、 汤家镛 2000 物理学报 49 0297]

    [20]

    Wu F M, Shi J Q, Wu Z Q 2001 Acta Phys. sin. 50 1555(in Chinese)[吴锋民、 施建青、 吴自勤 2001 物理学报 50 1555]

    [21]

    Lan W, Liu X Q, Huang C M, Tang G M, Yang Y, Wang Y Y 2006 Acta Phys. Sin. 55 0748(in Chinese)[兰 伟、 刘雪芹、 黄春明、 唐国梅、 杨 扬、 王印月 2006 物理学报 55 0748]

    [22]
  • [1]

    Liang J J, Chen W D, Wang Y Q, Chang Y, Wang Z G 2000 Chin. Phys. 9 0783

    [2]

    Miritello M, Lo Savio R, Piro A M, Franzò G, Priolo F, Lacona F, Bongiorno C 2006 J. Appl. Phys. 100 013502

    [3]

    Losurdo M, Giangregorio M M, Bruno G, Yang D X, Irene E A, Suvorova A A, Saunders M 2007 Appl. Phys. Lett. 91 091914

    [4]

    Singh M P, Thakur C S, Shalini K, Bhat N, Shivashankar S A 2003 Appl. Phys. Lett. 83 2889

    [5]

    Wong C P C, Salavy J F, Kim Y, Kirillov I, Rajendra Kumar E, Morley N B, Tanaka S, Wu Y C 2008 Fusion Eng. Des. 83 850

    [6]

    Chen H, Zhou T, Lü R, Yang Z, Wu Z, Xia D 2009 J. Nucl. Mater. 386-388 904

    [7]

    Pint B A, DeVan J H, DiStefano J R 2002 J. Nucl. Mater. 307-311 1344

    [8]

    Levchuk D, Levchuk S, Maier H, Bolt H, Suzuki A 2007 J. Nucl. Mater. 367-370 1033

    [9]

    Chikada T, Suzuki A, Yao Z Y, Sawada A, Terai T, Muroga T 2007 Fusion Eng. Des. 82 2572

    [10]

    Sawada A, Suzuki A, Terai T 2006 Fusion Eng. Des. 81 579

    [11]

    Yao Z Y, Suzuki A, Muroga T, Yeliseyeva O, Nagasaka T 2006 Fusion Eng. Des. 81 951

    [12]

    Adelhelm C, Pickert T, Balden M, Rasinski M, Plocinski T, Ziebert C, Koch F, Maier H 2009 Scripta Mater. 61 789

    [13]

    Tang M, Lu P, Valdez J A, Sickafus K E 2006 J. Appl. Phys. 99 063514

    [14]

    Adachi G Y, Imanaka N 1998 Chem. Rev. 98 1479

    [15]

    Guo Q X, Zhao Y S, Jiang C, Mao W L, Wang Z W, Zhang J Z, Wang Y J 2007 Inorg. Chem. 46 6164

    [16]

    Kelly P J, Henderson P S, Arnell R D, Roche G A, Carter D 2000 J. Vac. Sci. Technol. A 18 2890

    [17]

    Sproul W D 1998 Vacuum 51 641

    [18]

    Ye Z Y, Zhang Q Y 2001 Chin. Phys. 10 0329

    [19]

    Zhang Q Y, Ma T C, Pan Z Y, Tang J Y 2000 Acta Phys. Sin. 49 0297(in Chinese)[张庆瑜、 马腾才、 潘正瑛、 汤家镛 2000 物理学报 49 0297]

    [20]

    Wu F M, Shi J Q, Wu Z Q 2001 Acta Phys. sin. 50 1555(in Chinese)[吴锋民、 施建青、 吴自勤 2001 物理学报 50 1555]

    [21]

    Lan W, Liu X Q, Huang C M, Tang G M, Yang Y, Wang Y Y 2006 Acta Phys. Sin. 55 0748(in Chinese)[兰 伟、 刘雪芹、 黄春明、 唐国梅、 杨 扬、 王印月 2006 物理学报 55 0748]

    [22]
  • 引用本文:
    Citation:
计量
  • 文章访问数:  3979
  • PDF下载量:  1877
  • 被引次数: 0
出版历程
  • 收稿日期:  2010-04-07
  • 修回日期:  2010-06-25
  • 刊出日期:  2011-03-15

脉冲磁控溅射法制备单斜相氧化铒涂层

  • 1. 北京科技大学应用科学学院物理系,北京 100083

摘要: 用中频脉冲反应磁控溅射法,在溅射功率为78 W,93 W和124 W以及衬底温度分别为室温,500 ℃及677 ℃下制备了氧化铒涂层.采用原子力显微镜、纳米压痕、X射线衍射和掠入射X射线衍射法研究了涂层的形貌、力学性能及物相结构.测量了涂层的电学性能.结果显示,脉冲磁控溅射沉积氧化铒涂层具有较高的沉积速率.实验制备得到了单斜相结构的氧化铒涂层.提高溅射功率时,沉积速率从28 nm/min增大至68 nm/min,涂层的结晶质量显著下降.提高衬底温度至500 ℃和677 ℃时,单斜相衍射峰强度下降.分析认为

English Abstract

参考文献 (22)

目录

    /

    返回文章
    返回