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Si掺杂β-Ga2O3的第一性原理计算与实验研究

张易军 闫金良 赵刚 谢万峰

Si掺杂β-Ga2O3的第一性原理计算与实验研究

张易军, 闫金良, 赵刚, 谢万峰
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  • 采用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理平面波超软赝势(USPP)法, 在广义梯度近似(GGA)下计算了本征β-Ga2O3和Si掺杂β-Ga2O3的能带结构、电子态密度、差分电荷密度和光学特性. 在蓝宝石衬底(0001)晶面上用脉冲激光沉积(PLD)法制备了本征β-Ga2O3和Si掺杂β-Ga2O3薄膜, 测量了其吸收光谱和反射光
    • 基金项目: 国家自然科学基金 (批准号:10974077),山东省自然科学基金 (批准号: ZR2009GM035)和山东省高等学校科技计划项目(批准号:J10LA08)资助的课题.
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出版历程
  • 收稿日期:  2010-05-16
  • 修回日期:  2010-07-01
  • 刊出日期:  2011-03-15

Si掺杂β-Ga2O3的第一性原理计算与实验研究

  • 1. 鲁东大学物理学院,烟台 264025
    基金项目: 

    国家自然科学基金 (批准号:10974077),山东省自然科学基金 (批准号: ZR2009GM035)和山东省高等学校科技计划项目(批准号:J10LA08)资助的课题.

摘要: 采用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理平面波超软赝势(USPP)法, 在广义梯度近似(GGA)下计算了本征β-Ga2O3和Si掺杂β-Ga2O3的能带结构、电子态密度、差分电荷密度和光学特性. 在蓝宝石衬底(0001)晶面上用脉冲激光沉积(PLD)法制备了本征β-Ga2O3和Si掺杂β-Ga2O3薄膜, 测量了其吸收光谱和反射光

English Abstract

参考文献 (37)

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