搜索

x

留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

磁控溅射制备Y2O3-TiO2薄膜形貌的研究

曹月华 狄国庆

磁控溅射制备Y2O3-TiO2薄膜形貌的研究

曹月华, 狄国庆
PDF
导出引用
导出核心图
  • 室温下采用射频磁控溅射法,在硅衬底上制备了Y2O3-TiO2氧化物复合薄膜.利用XRD(X-ray diffraction)和AFM( atomic force microscopy)分析观察了退火前后样品的物相、形貌等变化,讨论了致密薄膜的生长机理.实验发现,溅射功率越大,薄膜的平整度和致密度越好.对热处理前后样品的结晶结构和表面形貌的分析结果显示,在本实验参数范围内,随着溅射功率的增大,更多的Y2O3
    • 基金项目: 江苏省高校自然科学重大基础研究项目(批准号:05KJA43006)资助的课题.
    [1]

    Mikhelashvili V, Eisenstein G 2001 Microelectronics Reliability 41 1057

    [2]

    Suhail M H, Mohan Rao G, Mohan 1992 J. Appl. Phys. 71 1421

    [3]

    Hu Z G, Li W W, Wu J D, Sun J, Shu Q W, Zhong X X, Zhu Z Q, Chu J H 2008 Appl. Phys. Lett. 93 181910-1

    [4]

    Zhang M, Lin G Q, Dong C, Wen L S 2007 Acta Phys. Sin. 56 7300 (in Chinese)[张敏、林国强、董 闯、闻立时 2007 物理学报 56 7300]

    [5]

    Gassim G, Alkhateeb N, Hussein H 2007 Desalination 209 342

    [6]

    Meulen T, Mattson A, Osterlund L 2007 Journal of Catalysis 251 131

    [7]

    Wang H, Wu Y, Xu B Q 2005 Applied Catalysis B: Environmental 59 139

    [8]

    Weinberger B R, Garber R B 1994 Appl. Phys. Lett. 66 2409

    [9]

    Wang S F, Hsu Y F, Lee Y S 2006 Ceramics International 32 121

    [10]

    Okimura K, Maeda N, Shibata A 1996 Thin Solid Films 281 427

    [11]

    Tang H, Parasad K, Sanjines R, Schmid P E, Levy F 1994 J. Appl. Phys. 75 2042

    [12]

    Albertin K F, Pereyra I 2009 Thin Solid Films 517 4548

    [13]

    Kadoshima M, Hiratani M, Shimamoto Y, Torii K, Miki H, Kimura S, Nabatame T 2003 Thin Solid Films 424 224

    [14]

    Song G B, Liu F S, Peng T J, Liang J K, Rao G H 2002 Acta Phys. Sin. 51 2793 (in Chinese)[宋功保、刘福生、彭同江、梁敬魁、饶光辉 2002 物理学报 51 2793]

    [15]

    Tang J Y 2001 Acta Phys. Sin. 50 2198 (in Chinese) [唐俊勇 2001 物理学报 50 2198]

    [16]

    Cui Y F, Yuan Z H 2005 Acta Phys. Sin. 55 5172 (in Chinese) [崔永峰、袁志好 2005 物理学报 55 5172]

    [17]

    Wang S F, Hsu Y F, Lee R L, Lee Y S 2004 Applied Surface Science 229 140

    [18]

    Granta C D, Schwartzberga A M, Smestadb G P, Kowalik J, Tolbert L M, Zhang J Z 2003 Synthetic Metals 132 197

    [19]

    Smestada G P, Spiekermannb S, Kowalik J, Granta C D, Schwartzberga A M, Zhang J, Tolbert L M, Moons E 2003 Solar Energy Materials & Solar Cells 76 85

    [20]

    Saito Y, Kitamura T, Wada Y J, Yanagida S 2002 Synthetic Metals 131 185

    [21]

    Li B, Wang L D, Zhang D Q, Qiu Y 2003 Chinese Science Bulletin 48 22 (in Chinese) [李 斌、王立铎、张德强、邱 勇 2003 科学通报 48 22]

    [22]

    Zhang W J, Zhu S L, Li Y, Wang F H, He H B 2009 Plating & Finishing 31 3 (in Chinese)[张文杰、朱圣龙、李 瑛、王福会、何红波 2009 电镀与精饰 31 3]

    [23]

    Raghavan D, Gu X, Nguyen T, VanLandingham M, Karim A 2000 Macromelecules 33 2573

    [24]

    Zhu C F, Wang C 2007 Scanning probe microscopy application progress(Binjing: chemical industry press)p5 (in Chinese) [朱传风、王琛著 2007扫描探针显微术应用进展(北京:化学工业出版社)第5页]

    [25]

    Zhang W J, Wang K L, Zhu S L, Li Y, Wang F H, He H B 2009 Chemicsl Engineering Journal 155 83

    [26]

    Huo H B, Liu Z T, Yan F, 2008 Materials Review 22 123 (in Chinese) [霍会宾、刘正堂、阎 锋2008材料导报22 123]

  • [1]

    Mikhelashvili V, Eisenstein G 2001 Microelectronics Reliability 41 1057

    [2]

    Suhail M H, Mohan Rao G, Mohan 1992 J. Appl. Phys. 71 1421

    [3]

    Hu Z G, Li W W, Wu J D, Sun J, Shu Q W, Zhong X X, Zhu Z Q, Chu J H 2008 Appl. Phys. Lett. 93 181910-1

    [4]

    Zhang M, Lin G Q, Dong C, Wen L S 2007 Acta Phys. Sin. 56 7300 (in Chinese)[张敏、林国强、董 闯、闻立时 2007 物理学报 56 7300]

    [5]

    Gassim G, Alkhateeb N, Hussein H 2007 Desalination 209 342

    [6]

    Meulen T, Mattson A, Osterlund L 2007 Journal of Catalysis 251 131

    [7]

    Wang H, Wu Y, Xu B Q 2005 Applied Catalysis B: Environmental 59 139

    [8]

    Weinberger B R, Garber R B 1994 Appl. Phys. Lett. 66 2409

    [9]

    Wang S F, Hsu Y F, Lee Y S 2006 Ceramics International 32 121

    [10]

    Okimura K, Maeda N, Shibata A 1996 Thin Solid Films 281 427

    [11]

    Tang H, Parasad K, Sanjines R, Schmid P E, Levy F 1994 J. Appl. Phys. 75 2042

    [12]

    Albertin K F, Pereyra I 2009 Thin Solid Films 517 4548

    [13]

    Kadoshima M, Hiratani M, Shimamoto Y, Torii K, Miki H, Kimura S, Nabatame T 2003 Thin Solid Films 424 224

    [14]

    Song G B, Liu F S, Peng T J, Liang J K, Rao G H 2002 Acta Phys. Sin. 51 2793 (in Chinese)[宋功保、刘福生、彭同江、梁敬魁、饶光辉 2002 物理学报 51 2793]

    [15]

    Tang J Y 2001 Acta Phys. Sin. 50 2198 (in Chinese) [唐俊勇 2001 物理学报 50 2198]

    [16]

    Cui Y F, Yuan Z H 2005 Acta Phys. Sin. 55 5172 (in Chinese) [崔永峰、袁志好 2005 物理学报 55 5172]

    [17]

    Wang S F, Hsu Y F, Lee R L, Lee Y S 2004 Applied Surface Science 229 140

    [18]

    Granta C D, Schwartzberga A M, Smestadb G P, Kowalik J, Tolbert L M, Zhang J Z 2003 Synthetic Metals 132 197

    [19]

    Smestada G P, Spiekermannb S, Kowalik J, Granta C D, Schwartzberga A M, Zhang J, Tolbert L M, Moons E 2003 Solar Energy Materials & Solar Cells 76 85

    [20]

    Saito Y, Kitamura T, Wada Y J, Yanagida S 2002 Synthetic Metals 131 185

    [21]

    Li B, Wang L D, Zhang D Q, Qiu Y 2003 Chinese Science Bulletin 48 22 (in Chinese) [李 斌、王立铎、张德强、邱 勇 2003 科学通报 48 22]

    [22]

    Zhang W J, Zhu S L, Li Y, Wang F H, He H B 2009 Plating & Finishing 31 3 (in Chinese)[张文杰、朱圣龙、李 瑛、王福会、何红波 2009 电镀与精饰 31 3]

    [23]

    Raghavan D, Gu X, Nguyen T, VanLandingham M, Karim A 2000 Macromelecules 33 2573

    [24]

    Zhu C F, Wang C 2007 Scanning probe microscopy application progress(Binjing: chemical industry press)p5 (in Chinese) [朱传风、王琛著 2007扫描探针显微术应用进展(北京:化学工业出版社)第5页]

    [25]

    Zhang W J, Wang K L, Zhu S L, Li Y, Wang F H, He H B 2009 Chemicsl Engineering Journal 155 83

    [26]

    Huo H B, Liu Z T, Yan F, 2008 Materials Review 22 123 (in Chinese) [霍会宾、刘正堂、阎 锋2008材料导报22 123]

  • [1] 狄国庆. 溅射制备Ta2O5薄膜的表面形貌与光学特性. 物理学报, 2011, 60(3): 038101. doi: 10.7498/aps.60.038101
    [2] 张丽卿, 张崇宏, 杨义涛, 姚存峰, 孙友梅, 李炳生, 赵志明, 宋书建. 高电荷态离子126Xeq+引起GaN表面形貌变化研究. 物理学报, 2009, 58(8): 5578-5584. doi: 10.7498/aps.58.5578
    [3] 刘志文, 谷建峰, 孙成伟, 张庆瑜. 磁控溅射ZnO薄膜的成核机制及表面形貌演化动力学研究. 物理学报, 2006, 55(4): 1965-1973. doi: 10.7498/aps.55.1965
    [4] 张玲, 何智兵, 廖国, 谌家军, 许华, 李俊. B掺杂对Ti薄膜结构与性能的影响. 物理学报, 2012, 61(18): 186803. doi: 10.7498/aps.61.186803
    [5] 宋 珍, 欧谷平, 桂文明, 张福甲. 原子力显微镜与x射线光电子能谱对LiBq4/ITO和LiBq4/CuPc/ITO的表面分析. 物理学报, 2005, 54(12): 5717-5722. doi: 10.7498/aps.54.5717
    [6] 丁万昱, 徐军, 陆文琪, 邓新绿, 董闯. 微波ECR磁控溅射制备SiNx薄膜的XPS结构研究. 物理学报, 2009, 58(6): 4109-4116. doi: 10.7498/aps.58.4109
    [7] 丁万昱, 王华林, 柴卫平, 巨东英. O2流量对磁控溅射N掺杂TiO2薄膜成分及晶体结构的影响. 物理学报, 2011, 60(2): 028105. doi: 10.7498/aps.60.028105
    [8] 景蔚萱, 王兵, 牛玲玲, 齐含, 蒋庄德, 陈路加, 周帆. ZnO纳米线薄膜的合成参数、表面形貌和接触角关系研究. 物理学报, 2013, 62(21): 218102. doi: 10.7498/aps.62.218102
    [9] 周小莉, 杜丕一. 磁控溅射法制备的CaCu3Ti4O12薄膜. 物理学报, 2005, 54(4): 1809-1813. doi: 10.7498/aps.54.1809
    [10] 李林娜, 陈新亮, 王斐, 孙建, 张德坤, 耿新华, 赵颖. H2 气对脉冲磁控溅射铝掺杂氧化锌薄膜性能的影响. 物理学报, 2011, 60(6): 067304. doi: 10.7498/aps.60.067304
    [11] 张传军, 邬云骅, 曹鸿, 高艳卿, 赵守仁, 王善力, 褚君浩. 不同衬底和CdCl2退火对磁控溅射CdS薄膜性能的影响. 物理学报, 2013, 62(15): 158107. doi: 10.7498/aps.62.158107
    [12] 佟国香, 李毅, 王锋, 黄毅泽, 方宝英, 王晓华, 朱慧群, 梁倩, 严梦, 覃源, 丁杰, 陈少娟, 陈建坤, 郑鸿柱, 袁文瑞. 磁控溅射制备W掺杂VO2/FTO复合薄膜及其性能分析. 物理学报, 2013, 62(20): 208102. doi: 10.7498/aps.62.208102
    [13] 马平, 刘乐园, 张升原, 王昕, 谢飞翔, 邓鹏, 聂瑞娟, 王守证, 戴远东, 王福仁. 直流磁控溅射一步法原位制备MgB2超导薄膜. 物理学报, 2002, 51(2): 406-409. doi: 10.7498/aps.51.406
    [14] 胡 冰, 李晓娜, 董 闯, 姜 辛. 磁控溅射法合成纳米β-FeSi2/a-Si多层结构. 物理学报, 2007, 56(12): 7188-7194. doi: 10.7498/aps.56.7188
    [15] 潘宵, 鞠焕鑫, 冯雪飞, 范其瑭, 王嘉兴, 杨耀文, 朱俊发. F8BT薄膜表面形貌及与Al形成界面的电子结构和反应. 物理学报, 2015, 64(7): 077304. doi: 10.7498/aps.64.077304
    [16] 白宣羽, 徐可为, 汪 渊. 基于小波变换Cu-W薄膜表面形貌表征与硬度值分散性评价. 物理学报, 2004, 53(7): 2281-2286. doi: 10.7498/aps.53.2281
    [17] 丁万昱, 徐 军, 李艳琴, 朴 勇, 高 鹏, 邓新绿, 董 闯. 微波ECR等离子体增强磁控溅射制备SiNx薄膜及其性能分析. 物理学报, 2006, 55(3): 1363-1368. doi: 10.7498/aps.55.1363
    [18] 张 辉, 刘应书, 刘文海, 王宝义, 魏 龙. 基片温度与氧分压对磁控溅射制备氧化钒薄膜的影响. 物理学报, 2007, 56(12): 7255-7261. doi: 10.7498/aps.56.7255
    [19] 刘 峰, 孟月东, 任兆杏, 舒兴胜. 感应耦合等离子体增强射频磁控溅射沉积ZrN薄膜及其性能研究. 物理学报, 2008, 57(3): 1796-1801. doi: 10.7498/aps.57.1796
    [20] 苏元军, 徐军, 朱明, 范鹏辉, 董闯. 利用等离子体辅助脉冲磁控溅射实现多晶硅薄膜的低温沉积. 物理学报, 2012, 61(2): 028104. doi: 10.7498/aps.61.028104
  • 引用本文:
    Citation:
计量
  • 文章访问数:  3837
  • PDF下载量:  644
  • 被引次数: 0
出版历程
  • 收稿日期:  2010-05-03
  • 修回日期:  2010-06-11
  • 刊出日期:  2011-03-15

磁控溅射制备Y2O3-TiO2薄膜形貌的研究

  • 1. 薄膜材料江苏省重点实验室,苏州大学物理科学与技术学院,苏州 215006
    基金项目: 

    江苏省高校自然科学重大基础研究项目(批准号:05KJA43006)资助的课题.

摘要: 室温下采用射频磁控溅射法,在硅衬底上制备了Y2O3-TiO2氧化物复合薄膜.利用XRD(X-ray diffraction)和AFM( atomic force microscopy)分析观察了退火前后样品的物相、形貌等变化,讨论了致密薄膜的生长机理.实验发现,溅射功率越大,薄膜的平整度和致密度越好.对热处理前后样品的结晶结构和表面形貌的分析结果显示,在本实验参数范围内,随着溅射功率的增大,更多的Y2O3

English Abstract

参考文献 (26)

目录

    /

    返回文章
    返回