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4H-SiC中基面位错发光特性研究

苗瑞霞 张玉明 汤晓燕 张义门

4H-SiC中基面位错发光特性研究

苗瑞霞, 张玉明, 汤晓燕, 张义门
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出版历程
  • 收稿日期:  2010-05-27
  • 修回日期:  2010-06-18
  • 刊出日期:  2011-03-15

4H-SiC中基面位错发光特性研究

  • 1. 西安电子科技大学微电子学院,宽禁带半导体材料与器件重点实验室,西安 710071
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号: 60876061),陕西13115创新工程(批准号: 2008ZDKG-30),中央高校基本科研业务费专项资金(批准号:JY10000925009)和国防基金(批准号: 9140A08050508)资助的课题.

摘要: 本文利用阴极荧光(CL)和选择性刻蚀的方法对4H-SiC同质外延材料中基面位错的发光特性进行了研究. 结果表明螺型基面位错(BTSD)和混合型基面位错(BMD)分别具有绿光和蓝绿光特性,其发光峰分别在530 nm附近和480 nm附近. 从测试结果中还发现BMD 的发光位较BTSD有所蓝移,分析认为BTSD位错芯附近原子沿伯格斯

English Abstract

参考文献 (11)

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