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基于InAs单量子点的单光子干涉

李园 窦秀明 常秀英 倪海桥 牛智川 孙宝权

基于InAs单量子点的单光子干涉

李园, 窦秀明, 常秀英, 倪海桥, 牛智川, 孙宝权
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出版历程
  • 收稿日期:  2010-04-13
  • 修回日期:  2010-07-01
  • 刊出日期:  2011-03-15

基于InAs单量子点的单光子干涉

  • 1. 中国科学院半导体研究所超晶格与微结构国家重点实验室,北京 100083
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:90921015)资助的课题.

摘要: 利用分子束外延生长 InAs 单量子点样品,测量了温度为 5 K 时单量子点的荧光(PL)光谱.采用时间关联光子强度测量(HBT)验证了 PL 光谱具有单光子发射特性.单光子通过马赫曾德尔 (MZ) 干涉仪,验证了单光子自身具有干涉特性.测量了当 MZ 干涉仪两臂偏振方向的夹角改变时对应的单光子干涉及条纹可见度的变化.

English Abstract

参考文献 (21)

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