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氧化随机织构硅表面对单晶硅太阳电池性能的影响研究

励旭东 周春兰 王文静 赵雷 李海玲 刁宏伟 曹晓宁

氧化随机织构硅表面对单晶硅太阳电池性能的影响研究

励旭东, 周春兰, 王文静, 赵雷, 李海玲, 刁宏伟, 曹晓宁
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出版历程
  • 收稿日期:  2010-05-30
  • 修回日期:  2010-06-20
  • 刊出日期:  2011-03-15

氧化随机织构硅表面对单晶硅太阳电池性能的影响研究

  • 1. (1)北京市太阳能研究所有限公司,北京 100083; (2)中国科学院电工研究所,中国科学院太阳能热利用及光伏系统重点实验室,北京 100190
    基金项目: 

    国家高技术研究发展计划(批准号:2007AA05Z437 )以及中国科学院知识创新工程重要方向项目(批准号:KGCX2-YW-382 )资助的课题.

摘要: 热氧化生长的SiO\-2 薄膜经常在高效单晶硅太阳电池中被用作扩散掩膜,化学镀掩膜,钝化层或者基本的减反射层.在这些高效太阳电池中,经常使用碱性溶液对单晶硅表面进行处理,得到随机分布的正金字塔结构的织绒表面,减少表面的光反射.表面氧化后的正金字塔太阳电池暗反向电流-电压呈现"软击穿"现象,并联电阻明显下降.研究结果表明引起这些现象的原因在于氧化正金字塔表面会导致在体内形成位错型缺陷,这些缺陷能够贯穿整个pn 结,导致太阳电池的并联电阻下降,同时载流子在位错型缺陷在能隙中引入的能级处发生复合,导致空间电荷区

English Abstract

参考文献 (17)

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