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Nb/SnO2复合薄膜的制备、结构及光电性能

曾乐贵 刘发民 钟文武 丁芃 蔡鲁刚 周传仓

Nb/SnO2复合薄膜的制备、结构及光电性能

曾乐贵, 刘发民, 钟文武, 丁芃, 蔡鲁刚, 周传仓
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  • 用溶胶-凝胶旋涂法在玻璃基底上制备出Nb/SnO2复合透明导电薄膜,利用XRD,SEM,紫外—可见分光光度计,四探针电阻仪等测试方法对Nb/SnO2复合薄膜的结构和物性进行了研究.结果表明: 当Nb含量小于0.99at%时,Nb/SnO2复合薄膜为较纯的四方金红石结构;复合薄膜中晶粒分布均匀,平均尺寸在5—7 nm.当Nb含量小于0.99at%时,Nb/SnO2复合薄膜的电阻率先减小后增大,当Nb含量为0.37at%时
    • 基金项目: 航天科学基金(批准号:373858)资助的课题.
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出版历程
  • 收稿日期:  2010-05-27
  • 修回日期:  2010-06-25
  • 刊出日期:  2011-03-15

Nb/SnO2复合薄膜的制备、结构及光电性能

  • 1. (1)北京航空航天大学物理科学与核能工程学院物理系纳米测控与低维物理教育部重点实验室,北京 100191; (2)北京航空航天大学物理科学与核能工程学院物理系纳米测控与低维物理教育部重点实验室,北京 100191; 装甲兵工程学院基础部,北京 100072
    基金项目: 

    航天科学基金(批准号:373858)资助的课题.

摘要: 用溶胶-凝胶旋涂法在玻璃基底上制备出Nb/SnO2复合透明导电薄膜,利用XRD,SEM,紫外—可见分光光度计,四探针电阻仪等测试方法对Nb/SnO2复合薄膜的结构和物性进行了研究.结果表明: 当Nb含量小于0.99at%时,Nb/SnO2复合薄膜为较纯的四方金红石结构;复合薄膜中晶粒分布均匀,平均尺寸在5—7 nm.当Nb含量小于0.99at%时,Nb/SnO2复合薄膜的电阻率先减小后增大,当Nb含量为0.37at%时

English Abstract

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